一种用于核聚变装置的高热负荷部件制造方法

    公开(公告)号:CN102284837A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110188358.8

    申请日:2011-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种用于核聚变装置的高热负荷部件制造方法,其主要是首先用热等静压方法将带孔的钨块与无氧铜内衬连接在一起,然后用中温胀管热扩散焊接方法把铬锆铜冷却水管和一组带有无氧铜中间层的钨块连接起来,制备成高热负荷部件。本发明保证了钨块/铬锆铜管的可靠连接和铬锆铜管本身的较高强度,而无氧铜中间层的使用可以较好地缓和部件服役期间因为脉冲等离子体辐照而在钨块和铬锆铜管之间产生的循环热应力;该制造方法工艺简便可靠,易于实现批量生产;该方法制备的高热负荷部件可以承受高热负荷循环冲击,适用于长脉冲、高参数的聚变装置中。

    一种可调整入射离子能量、实时监测离子通量的控温样品座

    公开(公告)号:CN101750427A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910251599.5

    申请日:2009-12-31

    Abstract: 本发明提供的一种可调整入射离子能量、实时监测离子通量的控温样品座,通过绝缘主动冷却样品座和绝缘样品的双重绝缘设计、通过铠装热电偶包套施加负偏压和实时监测离子通量的设计、以及被动式温度调整垫片的使用;主动冷却样品座与热电偶包套都有独立的电源用以调整到达离子的能量并实时测量打到样品有效面积上的总通量,并可通过调整绝缘温控片的厚度与冷却介质种类和流量调整实验过程中的样品温度。该设计既可以保证实验过程中直接准确读出打到样品有效面积上的离子通量而不需要探针等其他辅助手段,同时还可进行不同入射能量和样品温度下的样品辐照实验。

    具有网格结构的钨涂层第一壁部件

    公开(公告)号:CN101567225A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200910116864.9

    申请日:2009-05-26

    CPC classification number: Y02E30/128

    Abstract: 本发明提供一种具有网格结构的钨涂层第一壁部件,其特征在于:第一壁部件的热沉内部具有冷却管道,其面对等离子体一面刻有网格状槽,其表面喷涂有钨涂层,钨涂层作为面对等离子体材料。本发明可减小钨-铜(或钨-低活化钢)第一壁部件的热应力,同时在钨涂层失效时防止裂纹的扩展,将失效限制在单元格子的范围内。该钨涂层第一壁部件能承受大热流冲击,工艺简单、可靠,可用于长脉冲、大功率的核聚变装置中。

    一种用于核聚变装置城堡形部件结构研究的样品设计方法

    公开(公告)号:CN105989902B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201510982035.4

    申请日:2015-12-23

    CPC classification number: Y02E30/128

    Abstract: 本发明公开了一种用于核聚变装置城堡形部件结构研究的样品设计方法,在第一壁材料零件侧面底部开有一定深度和宽度的狭槽,插入与之匹配的连接细条,将不同第一壁材料零件快速组装在一起形成聚变装置面对等离子体的城堡形部件结构;通过调整狭槽位置、细条宽度等可以控制部件缝隙宽度、深度,通过对零件侧面、棱角和顶部进行适当裁切,可以获得不同的缝隙剖面和表面形状。将组装好的零件样品装于具有梯形槽的样品座中,表面齐平,通过侧面螺丝挤压,形成与样品座底部的良好接触。

    一种聚变堆包层附钨U型含流道第一壁部件的制造工艺

    公开(公告)号:CN106181015A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610695503.4

    申请日:2016-08-19

    Abstract: 本发明公开一种适用于聚变堆包层的附钨U型含流道第一壁部件的制造工艺方法,采用热等静压扩散焊技术将钨与U型含流道钢复合在一起,进而实现功能化。主要工艺步骤要点如下:1)按照设计加工制备U型钢管材;2)加工制备带涂层钨片;3)加工制备外包套工装;4)热等静压焊接;5)去包套,加工成所需尺寸的第一壁部件。本发明通过U型钢管材和带涂层钨片制备以及一次整体热等静压工艺,实现了异种材料、结构复杂、多个界面的复合焊接,而且该工艺加工出来的部件没有熔化焊接焊缝的性能弱化区,整体结构致密可靠,特别适合聚变堆包层模块附钨第一壁部件的制备。

    水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法

    公开(公告)号:CN102922815B

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201210260306.1

    申请日:2012-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法,包括有三层结构,三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料,热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料,适配层采用厚度为1-3 mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu,面向等离子体材料采用厚度为1-4 mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W,OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度,热沉中开有通孔作为冷却水通道,冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案,可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低(稳态热流<5 MW/m2)的面向等离子体区域。

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