公开(公告)号：CN112072471A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010976458.6

申请日：2020-09-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭强强 ,  张锦川 ,  程凤敏 ,  刘峰奇 ,  刘俊岐 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘舒曼 ,  王占国

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/065 ,  H01S5/125

Abstract: 一种单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法，其中，激光器阵列结构包括形成于衬底上，脊型的阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区；阵列直条区，形成呈阵列结构的多个解离腔；分布布拉格反射区，与阵列直条区结合形成呈阵列结构的多个完整谐振腔；光束组合区，用于将呈阵列结构的多个完整谐振腔耦合集成，实现光束多波长连续同轴输出；阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区由下至上依次包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和欧姆接触层；在上限制层对应分布布拉格反射区刻蚀形成二级光栅。本发明一方面实现集成阵列单元单纵模输出；另一方面实现无损耦合，实现室温多波长连续同轴输出。

公开(公告)号：CN112072457A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010976708.6

申请日：2020-09-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王欢 ,  张锦川 ,  程凤敏 ,  刘峰奇 ,  翟慎强 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  刘舒曼

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06 ,  H01S5/10

Abstract: 一种中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构，该中红外量子级联激光器包括衬底；有源波导结构，其设置在衬底上，包括第一接触层，其设置在衬底上；第一波导层，其设置在第一接触层上；有源区层单元，其设置在第一波导层上；第二波导层，其设置在有源区层上；以及第二接触层，其设置在第二波导层上；电隔离层，设置在有源波导结构两侧；第一电极层，与第一接触层接触且均设置在衬底上；以及第二电极层，覆盖在电隔离层和第二接触层上。本发明在保证激光器室温连续工作下发射双波长的同时仅转动闪耀光栅角度就可以实现宽调谐。

公开(公告)号：CN107069432B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201710472687.2

申请日：2017-06-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程凤敏 ,  张锦川 ,  贾志伟 ,  赵越 ,  周予虹 ,  刘峰奇 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  刘舒曼 ,  王占国

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S1/02

Abstract: 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。