公开(公告)号：CN102593242A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019112.2

申请日：2012-03-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 侯云 ,  黄志明 ,  高艳卿 ,  吴敬 ,  张雷博 ,  周炜 ,  张琰 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法，其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

公开(公告)号：CN102593228A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019370.0

申请日：2012-04-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 侯云 ,  黄志明 ,  高艳卿 ,  吴敬 ,  张雷博 ,  周炜 ,  张琰 ,  褚君浩

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于，其中包括：一Pt/Ti/SiO2/Si衬底；一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜；一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极，同时刻蚀薄膜直到露出部分Pt/Ti/SiO2/Si衬底的表面导电层作为底电极。制备出pn结，产生光生伏特效应，以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

公开(公告)号：CN102590095A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019045.4

申请日：2012-01-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  童劲超 ,  侯云 ,  陆金星 ,  黄敬国 ,  张雷博 ,  周炜 ,  郁启华 ,  沈学民 ,  褚君浩

IPC: G01N21/17 ,  G02B26/10

Abstract: 本发明公开一种二维摆镜扫描的太赫兹被动式成像系统，该系统具体利用二维摆镜逐行逐点扫描实现对成像样品的太赫兹波段成像，其扫描速度、成像时间、系统成像最佳物距可调。该成像系统不仅具有成像空间分辨率高，信噪比大，温度分辨率高等特点，同时与基于主动方式的透射和反射太赫兹成像系统相比较，还具有结构简单紧凑，无需自带本地太赫兹振荡源，无需面阵探测器而只需单元探测器等优点。

公开(公告)号：CN102544137A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210019369.8

申请日：2012-01-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 侯云 ,  黄志明 ,  高艳卿 ,  吴敬 ,  张雷博 ,  周炜 ,  张琰 ,  褚君浩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于，其中包括：一蓝宝石衬底；一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜；一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极，同时刻蚀薄膜到露出部分导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜，并在此部位制作底电极。制备出pn结，产生光生伏特效应，以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

公开(公告)号：CN102774806A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210211471.8

申请日：2012-06-25

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  周炜 ,  张雷博 ,  吴敬 ,  褚君浩

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法。其采用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的方法，完成了6-10微米厚的锰钴镍氧薄膜材料的刻蚀，得到了图形转移精度较高、台面平整度好、侧蚀比小的线列探测元微台面。为锰钴镍线列及阵列探测器的发展打下了良好的基础。

公开(公告)号：CN102732848A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210211532.0

申请日：2012-06-25

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  周炜 ,  徐晓峰 ,  吴敬 ,  张雷博 ,  褚君浩

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法，应用该法，可制备出大面积、致密性良好的MCN薄膜。相比溶胶-凝胶法制备的多晶MCN薄膜，该法参数控制更精确，制备出的薄膜致密度更高，且薄膜呈（110）高度择优取向。利用该法制作的MCN薄膜，可用于制造线列及面阵热敏探测器件，以及制作微桥结构和顶底电极结构热敏探测器件。

公开(公告)号：CN203057074U

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201220543137.8

申请日：2012-10-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  张雷博 ,  侯云 ,  周炜 ,  童劲超

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30

Abstract: 本专利提出一种自热消除低噪声前置放大器电路，可用于热敏红外探测器件信号检测电路或特性参数测试电路。该电路使用一组热敏电阻同探测器件组成桥式电路，两个热敏电阻通过精密电位器相连接，电位器滑动端接至运放同向输入端。运放反相端接红外探测器件探测元与盲元的公共端，桥式电路与后端的低噪声运放连接，低噪声运放使用T型网络作为反馈回路。本专利具有以下优点：使用热敏探测器的桥式电路实现自热消除，同时精密电位器的引入可以消除探测元与盲元不匹配引起的电压偏移；运放使用T型网络代替反馈电阻组成反馈回路，减小了电路噪声；电路结构简化，便于电路系统的小型化和较大规模多元器件的集成。