公开(公告)号：CN110823377A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911093692.8

申请日：2019-11-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  王进东 ,  廖清君 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  孙渟 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的红外伪彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为伪彩色RGB信号，最后合成伪彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成伪彩色图像的优点。

公开(公告)号：CN108872104A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810598150.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  崔爱梁 ,  刘棱枫 ,  孙常鸿 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: G01N21/31 ,  G01N21/01 ,  G01N1/28

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法。采用电感耦合等离子体技术形成碲镉汞台面结构，采用离子注入的方法把硼离子注入到P型的碲镉汞中形成PN结。使用傅里叶光谱仪对器件进行光谱扫描，同时使用灵敏电流计测量光电流响应，得到材料的归一化吸收谱图。利用归一化吸收谱图分析材料的组分。该方法采用电感耦合等离子技术分析碲镉汞材料组分的梯度分布，解决了现有的傅里叶透射光谱法和光致发光法只能测试材料表面或材料整体组分的缺点。与采用光学薄膜分析软件对碲镉汞薄膜组分进行拟合运算相比，本方法测量出碲镉汞的组分梯度分布更加精确真实，可以直接用于指导探测器的设计。

公开(公告)号：CN208690263U

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201821335640.8

申请日：2018-08-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208904029U

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201821335563.6

申请日：2018-08-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/107

Abstract: 专利公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生-复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209929317U

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201920708752.1

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11

Abstract: 本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212539415U

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202022011969.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  王进东 ,  廖清君 ,  刘棱枫 ,  崔爱梁 ,  张伟婷 ,  孙渟 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: G01J3/28

Abstract: 本专利公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利