公开(公告)号：CN207529955U

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201721728253.6

申请日：2017-12-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  唐伟伟 ,  刘昌龙 ,  郭万龙 ,  陈效双

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本专利公开了一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、硒化铋薄膜、对数天线和金属源漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的具有丰富表面态硒化铋薄膜转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备对数天线和金属电极作为源极和漏极，形成硒化铋薄膜场效应晶体管结构。器件在太赫兹光的照射下硒化铋薄膜表面态电子与晶格发生不对称性散射，进而实现室温快速的太赫兹的探测。该太赫兹探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点并属于光伏型探测器件，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205248274U

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201520979022.7

申请日：2015-12-01

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  刘昌龙 ,  唐伟伟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L27/144

Abstract: 本专利公开一种石墨烯室温太赫兹波探测器，所述探测器件包括蓝宝石衬底和其上蒸镀对数周期天线结构以及引线电极，且太赫兹波耦合对数周期天线两边分别与对应的引线电极相连，在对数周期天线间距中转移具有载流子浓度可调和高迁移率的石墨烯导电沟道，保证石墨烯与两边对数周期天线互连。本专利的优点在于：器件的太赫兹响应高，可实现宽频、高速、高灵敏度、高信噪的太赫兹波探测；器件的集成度和小型化好，为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。