公开(公告)号：CN112561821A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011499241.7

申请日：2020-12-17

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 黄权 ,  邵伟恒 ,  方文啸 ,  王磊 ,  张航 ,  黄云 ,  路国光 ,  阮建高 ,  陈军

IPC: G06T5/00 ,  G06K7/10

Abstract: 本发明公开了一种基于近场扫描的芯片表面电磁数据降噪方法，包括以下步骤：通过对芯片表面进行近场扫描得到电磁数据；对得到的电磁数据进行信号提取，得到电磁图像；对电磁图像进行局部均值估计和局部噪声方差估计；对电磁图像中的所有相似块的每个像素进行加权平均处理，得到真实图像的基础估计；使用基础估计对电磁图像进行维纳降噪，得到局部估计；使用加权平均对所有得到的局部估计进行聚合，计算出真实图像的最终估计，从而得到最终的降噪图像。本发明的方法能够针对近场扫描的复杂噪声进行有效地降噪。