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公开(公告)号:CN114518376B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202210150745.0
申请日:2022-02-18
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2204 , G21F3/00 , G21F1/08
Abstract: 本发明公开了一种放射性试样的电子探针屏蔽样品座,包括样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具;所述固定样品夹具和可调节样品夹具设置在样品台底盘上,所述固定样品夹具和可调节样品夹具相对设置,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间形成用于容纳标准样品和待测样品的容纳腔,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间的间距可调节;所述样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具均采用屏蔽材料制成。本发明的样品座在不影响电子探针正常测试的情况下能对放射性样品从源头上进行屏蔽,进而降低设备元器件所承受的辐射剂量水平、提高元器件的使用寿命、优化设备信息采集效率、保护试验人员和试验环境等的电子探针屏蔽样品座。
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公开(公告)号:CN117476150A
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202311544009.4
申请日:2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种锆锡合金辐照下微观结构演化模拟方法、系统和设备,本发明提出的方法基于数值模拟技术,利用相场法建立锆锡合金的微观结构模型,同时引入辐照缺陷演化的速率理论模型,从而获得辐照下锆锡合金的微观结构演化模型,利用该微观结构演化模型以及辐照参数,即可获得不同辐照条件下锆锡合金的微观结构演化和辐照缺陷分布,相较于现有技术可以大幅度减少试验时间和试验成本,且无需试验人员接触放射性物质,此外,还可以为后期锆锡合金中力学性能的数值模拟计算提供更加精确可靠的数据支撑。
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公开(公告)号:CN115273992B
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202210933893.X
申请日:2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明实施例提供一种辐照缺陷对腐蚀行为影响的模拟方法,包括:模拟含和不含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构;进行高通量筛选,筛选出能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构;对筛选出的所有能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构进行单点能计算;通过缺陷形成能公式计算每个能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构中的典型缺陷与氧原子的结合能;根据结合能结合由单点能得到的电子特性参数,模拟预测辐照缺陷对含Nb锆合金腐蚀行为的影响。本发明实施例解决了现有技术难以模拟辐照缺陷对含Nb锆合金的腐蚀行为的影响的技术问题。
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公开(公告)号:CN116773296A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202310648147.0
申请日:2023-06-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本申请属于材料辐照技术领域,具体涉及一种锆合金板材表面涂层样品的反应堆辐照装样装置。该装置,包括:上盖板和装样座;上盖板和装样座上下相互配合并用于固定与安装涂层样品;上盖板安装在装样座上侧,下表面有固定涂层样品在平行于上盖板方向运动的第一凸块;装样座的上侧开有用于放置样品的凹槽,凹槽两侧固定有第二凸块,用于固定涂层样品在垂直于上盖板方向的运动。该装置可以确保样品在入反应堆前装样、反应堆内辐照以及出反应堆转运提取过程中不受机械和振动破坏,为后续能够准确表征与分析测试经反应堆内实际工况考验的涂层样品的微观形貌、结构和宏观性能提供了有力保障,并且结构简单、安装使用取样方便。
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公开(公告)号:CN115620821A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211293615.9
申请日:2022-10-21
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了辐照缺陷对Zr‑Nb合金微观力学影响的模拟方法及相关产品,模拟方法包括以下步骤:S1、获取含典型辐照缺陷的Zr‑Nb合金,并基于经典分子动力学获得含典型辐照缺陷的Zr‑Nb合金稳定构型;S2、对步骤S1获取的稳定构型进行模拟纳米压痕实验过程的微观力学性能计算,获得每个体系的微观力学性能;S3、基于步骤S2获得的微观力学性能,结合体系内部发生组织变化的动力学信息,建立微观力学性能与显微组织的对应关系。本发明通过该模拟方法能够建立微观力学性能与显微组织的对应关系,助于揭示辐照缺陷对其微观力学性能的影响。
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公开(公告)号:CN114518376A
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202210150745.0
申请日:2022-02-18
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2204 , G21F3/00 , G21F1/08
Abstract: 本发明公开了一种放射性试样的电子探针屏蔽样品座,包括样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具;所述固定样品夹具和可调节样品夹具设置在样品台底盘上,所述固定样品夹具和可调节样品夹具相对设置,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间形成用于容纳标准样品和待测样品的容纳腔,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间的间距可调节;所述样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具均采用屏蔽材料制成。本发明的样品座在不影响电子探针正常测试的情况下能对放射性样品从源头上进行屏蔽,进而降低设备元器件所承受的辐射剂量水平、提高元器件的使用寿命、优化设备信息采集效率、保护试验人员和试验环境等的电子探针屏蔽样品座。
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公开(公告)号:CN119626350A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411780235.7
申请日:2024-12-05
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种对等摩尔比NbTiZr固溶体中空位形成能的计算方法,涉及核材料辐照效应的数值模拟技术领域,包括以下步骤:计算固溶体体系中原子势;构建含空位的固溶体体系;计算固溶体体系中空位形成能;计算含空位的固溶体体系的电子结构。基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过元素间互相替代的方法得到原子化学势;再基于化学势,分别删除各个原子位点上的原子,计算所有种类空位的形成能;计算不同种类空位的差分电荷密度,获得局域环境对空位的影响机理。无需复杂的实验结果或难以获得的精准经验势就可以获得空位形成能,对固溶体中空位缺陷的研究有重要的科学意义;克服了实验上很难从原子尺度揭示辐照初期单空位形成等缺点。
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公开(公告)号:CN119339844A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411201492.0
申请日:2024-08-29
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G01N23/00 , G01N23/04 , G16C20/70 , G06F18/2433
Abstract: 本发明公开了一种密排六方晶体辐照级联范围的确定方法、装置及存储介质,涉及级联范围标定技术领域,主要在于能够提高密排六方晶体辐照级联范围的确定效率和确定准确度。其中,响应于待检测密排六方晶体的辐照级联范围的确定信号,对待检测密排六方晶体的辐照过程进行模拟,在模拟过程中获取在受到入射粒子辐照时待检测密排六方晶体中原子发生级联碰撞的离位级联过程数据;基于离位级联过程数据,确定待检测密排六方晶体的离位级联过程图;利用预设标定算法对离位级联过程图进行级联范围的粗标定,得到初始级联范围;确定初始级联范围内各个原子之间的原子能量差,并基于原子能量差,在初始级联范围内确定待检测密排六方晶体的级联范围。
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公开(公告)号:CN119069009A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411209114.7
申请日:2024-08-30
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了UO2中空位型缺陷加速裂变气体迁移的分析方法及系统,包括采用UO2晶体学原胞,建立UO2超胞模型;采用第一性原理方法对UO2超胞模型进行优化;基于优化后的UO2超胞模型,依次建立第一UO2超晶胞和第二UO2超晶胞;第一UO2超晶胞是含有一个裂变气体原子的UO2超晶胞,第二UO2超晶胞是含有一个裂变气体原子和一个O空位的第二UO2超晶胞;基于两种超晶胞,分别建立裂变气体原子在UO2中迁移前后的超胞模型,并对应计算裂变气体原子从迁移过程中的第一势垒、第二势垒;并分析辐照空位加速裂变气体迁移的微观机制过程。本发明解决尚不明确的UO2燃料中空位缺陷加速裂变气体迁移的微观机理研究。
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公开(公告)号:CN117521382A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311536046.0
申请日:2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法,涉及新材料点缺陷数值模拟技术领域,包括以下步骤:1)利用FindIt软件查找等摩尔比高熵合金中每个金属单质的结构,得到晶格参数;2)利用ATAT软件寻找等摩尔比高熵合金的SQS超胞模型;3)利用VASP软件对SQS超胞结构进行优化;4)构建等摩尔比高熵合金空位模型;5)对金属单质及含空位的晶体模型进行第一性原理计算模拟,计算金属单质及所有含空位的等摩尔比高熵合金晶胞的能量;6)计算所有空位的形成能,并从局域环境中的不同角度分析空位的形成特点及对空位形成的影响因素。从理论上揭示等摩尔比高熵合金中空位的形成机理及影响因素。
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