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公开(公告)号:CN117558487A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311529191.6
申请日:2023-11-16
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21K5/10
Abstract: 本发明公开了一种用于MJTR单晶硅辐照的提棒方式,在MJTR堆芯的1号、2号、3号以及4号单晶硅孔道上设置中子屏;MJTR堆芯中有10根控制棒,其中2根为安全棒,2根为自动棒,6根为手动补偿棒;3号手动补偿棒和6号手动补偿棒组成第一组外围棒,1号手动补偿棒和2号手动补偿棒组成一组中间棒,4号手动补偿棒和7号手动补偿棒组成第二组外围棒;在MJTR运行初期,手动补偿棒的提棒方式为如下三种中的一种:先提中间棒,再提第一组外围棒,最后提第二组外围棒;先提第一组外围棒,再提中间棒,最后提第二组外围棒;先提第一组外围棒,再提第二组外围棒,最后提中间棒;采用第二种方式获得的单晶硅均匀性好,产品质量好。
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公开(公告)号:CN116411197A
公开(公告)日:2023-07-11
申请号:CN202310393897.8
申请日:2023-04-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Inventor: 郭雨非 , 刘莎莎 , 陈嘉浪 , 马立勇 , 刘畅 , 刘晓松 , 刘水清 , 李国云 , 刘洋 , 孙凯 , 张海生 , 刘吉珍 , 宋雨鸽 , 刘文斌 , 宋霁阳 , 夏羿 , 刘润麒
Abstract: 本发明公开了一种钨合金辐射屏蔽材料及其制备方法和应用,制备方法包括:按照以下质量百分数称取各原料:镍粉2~21%,铁粉0.9~9.0%,氮化硼粉0~2%,余量为钨粉,其中各原料中主要元素的含量大于99.9%;将各原料混合后在惰性气体中进行间歇式球磨,球磨过程中加入过程控制剂;在180~250Mpa下冷压成型,后在温度依次升高的氢气环境中进行烧结后降温至1220~1240℃;惰性气体置换氢气后保温2~5小时,冷却至室温;以钨为主要合金元素,且不添加放射性元素,因此在加工和使用过程中不会对人员健康和环境产生危害。钨合金辐射屏蔽材料具有极好的结构适应性,在制成屏蔽体的过程中无需另加结构骨架。
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