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公开(公告)号：CN114509460A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210151374.8
申请日：2022-02-18
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2202 , G01N1/32 , G01N1/34
Abstract: 本发明公开了一种中子辐照前锆合金扫描电镜试样预处理方法，先对试样进行磨抛再进行酸洗，所述磨抛依次包括粗抛和精抛，所述粗抛为试样在不同颗粒度的砂纸上由粗到细依次磨制，磨制方式为每更换一次砂纸时，将试样旋转90°与旧磨痕成垂直方向继续磨制，直到旧磨痕完全消失，且新磨痕均匀一致为止。本发明所述方法通过对试样表面进行磨抛和化学腐蚀(酸洗)，可最大程度的减小中子辐照注入面的粗糙度和应力层。此外，利用该方法制得的扫描电镜锆合金试样经中子辐照后可直接利用扫描电镜进行显微组织和成分分析，避免辐照后制氧的放射性威胁。
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公开(公告)号：CN112926205B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110205918.X
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了基于团簇动力学的锆基合金辐照损伤模拟方法及模型系统，涉及核材料辐照模拟技术领域，其技术方案要点是：基于团簇动力学、缺陷之间相互作用的物理机制和位错环生长问题建立团簇动力学模型；将获取的材料参数作为数值模拟参数输入至团簇动力学模型模拟计算得到点缺陷团簇的浓度与辐照剂量的依赖关系数据；对依赖关系数据进行数据处理后得到缺陷团簇数密度的剂量依赖关系、团簇中缺陷数量的分布信息以及固定剂量下缺陷团簇大小的分布信息。本发明提供的团簇动力学模型可以模拟中子辐照过程中点缺陷形成点缺陷团簇的过程，模拟不同辐照条件下缺陷结构的演化和缺陷团簇动力学，计算位错环的生长、空洞的生长、缺陷团簇的吸收演化过程等。
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公开(公告)号：CN119207595A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411209113.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了UO2中空位型点缺陷稳定性的分析方法、系统及介质，该方法包括：建立UO2晶体学原胞，测试UO2第一性原理的计算参数，计算参数包括平面波截断能、K点网格密度和强关联体系Hubbard模型U值；基于UO2晶体学原胞，建立UO2超胞；采用UO2超胞，构建含辐照产生的不同空位缺陷结构模型；根据计算参数，对空位缺陷结构模型进行优化，并计算形成能和结合能；根据形成能和结合能，判断辐照后UO2中不同的空位缺陷形成的难易程度，并分析不同空位缺陷的稳定性。本发明计算不依赖经验参数，计算精度高、可靠性强；本发明为UO2燃料辐照损伤研究提供有效的计算方法，为UO2燃料的设计和改性提供理论支撑。
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公开(公告)号：CN114518376B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210150745.0
申请日：2022-02-18
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2204 , G21F3/00 , G21F1/08
Abstract: 本发明公开了一种放射性试样的电子探针屏蔽样品座，包括样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具；所述固定样品夹具和可调节样品夹具设置在样品台底盘上，所述固定样品夹具和可调节样品夹具相对设置，所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间形成用于容纳标准样品和待测样品的容纳腔，所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间的间距可调节；所述样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具均采用屏蔽材料制成。本发明的样品座在不影响电子探针正常测试的情况下能对放射性样品从源头上进行屏蔽，进而降低设备元器件所承受的辐射剂量水平、提高元器件的使用寿命、优化设备信息采集效率、保护试验人员和试验环境等的电子探针屏蔽样品座。
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公开(公告)号：CN117476150A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311544009.4
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种锆锡合金辐照下微观结构演化模拟方法、系统和设备，本发明提出的方法基于数值模拟技术，利用相场法建立锆锡合金的微观结构模型，同时引入辐照缺陷演化的速率理论模型，从而获得辐照下锆锡合金的微观结构演化模型，利用该微观结构演化模型以及辐照参数，即可获得不同辐照条件下锆锡合金的微观结构演化和辐照缺陷分布，相较于现有技术可以大幅度减少试验时间和试验成本，且无需试验人员接触放射性物质，此外，还可以为后期锆锡合金中力学性能的数值模拟计算提供更加精确可靠的数据支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115273992B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210933893.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明实施例提供一种辐照缺陷对腐蚀行为影响的模拟方法，包括：模拟含和不含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构；进行高通量筛选，筛选出能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构；对筛选出的所有能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构进行单点能计算；通过缺陷形成能公式计算每个能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构中的典型缺陷与氧原子的结合能；根据结合能结合由单点能得到的电子特性参数，模拟预测辐照缺陷对含Nb锆合金腐蚀行为的影响。本发明实施例解决了现有技术难以模拟辐照缺陷对含Nb锆合金的腐蚀行为的影响的技术问题。
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公开(公告)号：CN117316480A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311527645.6
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种基于二次离子质谱仪的放射性屏蔽隔离系统，手套箱内设有相互连通的样品转入区和样品转出区；屏蔽室在底部位置带有避空位；屏蔽室对应样品转入区一侧带有第一手套孔和第一剑式机械手预留孔；屏蔽室对应样品转出区一侧带有翻开式屏蔽门，翻开式屏蔽门上带有第二剑式机械手预留孔；手套箱对应样品转出区另一侧还带有设备对接口，设备对接口用于和二次离子质谱仪对接。本发明旨在发明一种在不影响二次离子质谱仪正常工作的基础上能够实现对强放试样进行放射性屏蔽、气密性保持、试样密封转运对接、人员远距离操作等功能于一体的放射性屏蔽隔离系统，为二次离子质谱仪应用于核结构与功能材料的研发提供技术支持和安全保障。
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公开(公告)号：CN116990094A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310651534.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本申请属于辐照后核燃料及材料样品制备技术领域，具体涉及一种强放射性核燃料及材料微观力学性能测试样品制备装置。该装置，包括：铅屏蔽手套箱以及设置于铅屏蔽手套箱内的精研一体机和喷淋花洒；铅屏蔽手套箱上带有铅手套和送样口，内部设置有旋转台，精研一体机放置于旋转台上；铅屏蔽手套箱上方连接有与废气排放管道连通的机械泵进风口和机械泵出风口，机械泵出风口与废气排放管道连通的；喷淋花洒一端连接着自来水管道，用于在精研一体机切割研磨样品的过程中对样品表面进行喷淋。该装置能够便捷、高效地加工制备出满足要求的微观力学性能测试样品。
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公开(公告)号：CN115620821A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211293615.9
申请日：2022-10-21
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了辐照缺陷对Zr‑Nb合金微观力学影响的模拟方法及相关产品，模拟方法包括以下步骤：S1、获取含典型辐照缺陷的Zr‑Nb合金，并基于经典分子动力学获得含典型辐照缺陷的Zr‑Nb合金稳定构型；S2、对步骤S1获取的稳定构型进行模拟纳米压痕实验过程的微观力学性能计算，获得每个体系的微观力学性能；S3、基于步骤S2获得的微观力学性能，结合体系内部发生组织变化的动力学信息，建立微观力学性能与显微组织的对应关系。本发明通过该模拟方法能够建立微观力学性能与显微组织的对应关系，助于揭示辐照缺陷对其微观力学性能的影响。
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公开(公告)号：CN112632839B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011371082.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/25 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了基于速率理论的锆基合金中辐照硬化模拟方法及模型系统，涉及核材料辐照模拟技术领域，其技术方案要点是：建立模拟位错结构的演化和辐照生长模型；建立辐照生长时的应变率计算模型；将获取的材料参数输入至辐照生长时的应变率计算模型；通过辐照生长时的应变率计算模型依据数值模拟参数模拟计算辐照剂量对位错环半径、位错密度、生长应变的影响关系；通过预构建的硬化程度计算模型依据模拟计算的影响关系计算得到点缺陷吸收阱引起的硬化值。本发明不仅可模拟计算辐照剂量对位错环半径、位错密度、生长应变的影响以及辐照硬化，还可模拟锡和铌作为锆基合金中的合金元素对力学性能和辐照生长的影响，预测范围广，计算结果准确。
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