公开(公告)号：CN105858726A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610210367.5

申请日：2016-04-06

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 李汉青 ,  彭志坚 ,  钱静雯 ,  申振广 ,  符秀丽

IPC: C01G39/02

CPC classification number: C01G39/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明涉及一种高产率高纯度MoO2粉体的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，通过热蒸发气相迁移技术，以三氧化钼和硫粉为原料，在真空环境中、在载气带动下，采用非混合式的渐进反应方法，一步还原合成得到高产率、高纯度的MoO2粉末。该方法具有合成条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、成本低廉、安全、环保等优点。所获得的MoO2粉体粒度均匀、纯度高，易于存贮和再加工。这种MoO2粉体在冶金、催化剂、锂离子电池等方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105742692A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610103993.4

申请日：2016-02-25

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  钱静雯 ,  申振广 ,  李汉青 ,  符秀丽

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/0563 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明涉及基于WS2层片状纳米阵列结构的高容量锂离子电池及其制备方法，属于新能源材料及其器件制备技术领域。本发明通过热蒸发三氧化钨和硫粉在镀有钨膜的导电基片上合成和生长高纯度、高密度的WS2层片状纳米阵列结构，并将其用作锂离子电池的阳极，并采用金属锂片作为阴极，在真空手套箱内与电解液、隔膜、外壳等组装得到锂离子电池。用此法制备锂离子用WS2阳极材料，WS2层片状纳米阵列结构产量大、密度高、纯度高、形貌整齐；且合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、成本低廉；电极制备过程简单，无需后处理，经济环保。本发明提出的这种新型锂离子电池，电池电容量大，具有较好的充放电循环性能，是一种高性能的锂离子电池。

公开(公告)号：CN105858726B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610210367.5

申请日：2016-04-06

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 李汉青 ,  彭志坚 ,  钱静雯 ,  申振广 ,  符秀丽

IPC: C01G39/02

Abstract: 本发明涉及一种高产率高纯度MoO2粉体的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，通过热蒸发气相迁移技术，以三氧化钼和硫粉为原料，在真空环境中、在载气带动下，采用非混合式的渐进反应方法，一步还原合成得到高产率、高纯度的MoO2粉末。该方法具有合成条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、成本低廉、安全、环保等优点。所获得的MoO2粉体粒度均匀、纯度高，易于存贮和再加工。这种MoO2粉体在冶金、催化剂、锂离子电池等方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105585044A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510685041.3

申请日：2015-10-20

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  钱静雯 ,  申振广 ,  李汉青 ,  符秀丽

IPC: C01G3/12

CPC classification number: C01G3/12 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用双温区真空管式炉，以硫粉为蒸发源，在真空环境中、在载气保护下，通过低温热蒸发的方法，在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构，包括CuS针状晶、墙状晶和薄片状晶等的网络状纳米结构。该方法具有制备严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点，且无需使用任何催化剂。这类纳米结构材料可望在光催化剂、太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。

公开(公告)号：CN105543972A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610102048.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 李汉青 ,  彭志坚 ,  钱静雯 ,  申振广 ,  符秀丽

IPC: C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  C30B25/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C30B29/46 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，采用三氧化钼（MoO3）和硫（S）粉作为蒸发源，在真空环境中通过热蒸发的方法，在载气作用下，在基片上可控合成和生长MoO2层片状纳米结构。该方法具有反应平和、纳米材料的合成与生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率和纯度高、成本低廉、环保等优点。所获得的纳米结构产物密度高，纳米结构的厚度分布均匀，可望在电子器件、锂离子电池等方面获得广泛应用。