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公开(公告)号：CN109385650A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710674721.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 中南大学
IPC: C25D3/38 , C25D15/00 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: C25D15/00 , C25D3/38 , H01L23/5226 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构，包括设于硅片上的硅通孔，所述硅通孔内填充有铜电镀层，所述铜电镀层内分散有热膨胀系数低于铜的纳米颗粒。该硅通孔结构散热效果好，可减小热应力，有效延长芯片的服役寿命。本发明还相应提供了一种上述硅通孔结构的制造方法和制造方法所用的装置，该制造方法通过向电镀液中添加纳米颗粒，在电镀过程中铜在阴极被还原并将纳米颗粒包覆在其中，在铜电镀层中均匀分散纳米颗粒。通过该制造方法可获得纳米颗粒分散均匀的铜电镀层，得到散热效果更好，性能更加均一的硅通孔结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887882B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910091582.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。
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公开(公告)号：CN109628968B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910091137.5
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，TSV快速填充方法包括如下步骤：预处理：将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，在200‑500℃下加热15‑60min；电镀铜：将加热后的硅片进行电镀铜，至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子，再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。
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