公开(公告)号：CN118676179A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310738718.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田中克久 ,  河野洋志

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第二导电型的第四半导体区域、第二导电型的第五半导体区域、第二导电型的第六半导体区域、第二导电型的第七半导体区域、第二导电型的第八半导体区域、第二电极以及第三电极。第四半导体区域设置于第二半导体区域和栅极电极的周围。第四半导体区域、第五半导体区域以及第六半导体区域相互分离。第四半导体区域、第七半导体区域以及第八半导体区域相互分离。第三电极隔着绝缘层设置于第八半导体区域之上。第三电极与第二电极分离，与栅极电极电连接。

公开(公告)号：CN117712138A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202211602911.2

申请日：2022-12-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田中克久 ,  河野洋志

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第二电极；第三电极，配置于第一电极与第二电极之间，沿第一方向延伸，具有第一部分和第二部分；第一导电型的第一半导体层，连接于第一电极，隔着绝缘层而与第一部分对置，且包含硅及碳；第一导电型的第二半导体层，连接于第二电极，包含硅及碳；第二导电型的第三半导体层，至少一部分配置于第一半导体层与第二半导体层之间，与第一半导体层及第二半导体层相接，隔着绝缘层而与第三电极对置，且包含硅及碳；第二导电型的第四半导体层，至少一部分配置于第一半导体层与第二部分之间，隔着绝缘层而与第二部分对置，与第三半导体层相接，包含硅及碳，且载流子浓度比第三半导体层的载流子浓度高。