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公开(公告)号:CN204088363U
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201420401034.7
申请日:2014-07-18
Applicant: 东芝照明技术株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L24/14 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/62 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种发光装置,包含陶瓷基板、第1连接器~第4连接器、多个半导体发光元件及第1金属层。陶瓷基板具有包含第1边~第4边与第1角部~第4角部的第1主面,第1主面包含:安装区域、第1角部与安装区域之间的第1连接器区域、第2角部与安装区域之间的第2连接器区域、第3角部与安装区域之间的第3连接器区域、第4角部与安装区域之间的第4连接器区域。多个半导体发光元件设在安装区域。第1连接器~第4连接器分别设在第1连接器区域~第4连接器区域。第1金属层设在多个半导体发光元件与陶瓷基板之间,包含分别与第1连接器~第4连接器电连接的第1连接器用电极部~第4连接器用电极部。本实用新型可提供高输出的发光装置。
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公开(公告)号:CN203857299U
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201420119971.3
申请日:2014-03-14
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: F21S2/00 , H01L25/075 , H01L33/64 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L2224/14
Abstract: 本实用新型提供高可靠性的发光装置以及照明装置。根据实施方式,提供一种照明装置,其包含基座部件、多个半导体发光元件、安装基板部、金属板、接合层、脂膏层和固定部。多个半导体发光元件与基座部件分开。安装基板部包含设于基座部件和多个半导体发光元件之间的陶瓷基板。金属板设于基座部件与安装基板部之间。金属板具有外缘部和外缘部内侧的内侧部。金属板的厚度与内侧部的最大长度之比为0.042以上。接合层设于安装基板部与金属板之间,将安装基板部和金属板接合起来。脂膏层设于基座部件与金属板。固定部将金属板的外缘部与基座部件固定起来。
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公开(公告)号:CN1841812A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610058462.4
申请日:2006-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L51/0037 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电激发光元件,其包括阳极及阴极;配置于上述阳极与上述阴极之间的有机发光层;以及有机电洞传输层,该有机电洞传输层配置于上述阳极与上述有机发光层之间,且包含添加有半导体或导电体金属氧化物的高分子型有机电洞传输材料。
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公开(公告)号:CN1325997C
公开(公告)日:2007-07-11
申请号:CN200410055265.8
申请日:2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法,实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂(13)和具有铬膜(22)的光掩模(20)靠近来对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光的曝光方法中,具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部(23)的上述铬膜(22)通过纯水膜(15)与上述上层抗蚀剂(13)靠近,利用近场光(K)在与上述开口部(23)相对应的位置上对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光。
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公开(公告)号:CN1841812B
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200610058462.4
申请日:2006-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L51/0037 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电激发光元件,其包括阳极及阴极;配置于上述阳极与上述阴极之间的有机发光层;以及有机空穴传输层,该有机空穴传输层配置于上述阳极与上述有机发光层之间,且包含添加有半导体或导电体金属氧化物的高分子型有机空穴传输材料。
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公开(公告)号:CN1806270A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200480016360.5
申请日:2004-08-12
Applicant: 东芝松下显示技术有限公司 , 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/5275
Abstract: 提供了一种光学设备(1),该设备包括:第一波导层(41,42),多光束干涉发生在该层中;第二波导层(10),它包括与第一波导层(41,42)面对面的后表面和作为光线输出面的前表面;以及衍射光栅(30),它被安排在第二波导层(10)的背面上并面对着第一波导层(41,42),其中确定该衍射光栅(30)的光栅常数时要使一级衍射光从第二波导层(10)中出射,一级衍射光是当在共面方向上传播、同时还在第一波导层(41,42)中引起多次反射的、具有最高光强的光分量进入衍射光栅(30)时产生的。
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公开(公告)号:CN1570771A
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN200410055265.8
申请日:2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法,实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中,具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯水膜15与上述上层抗蚀剂13靠近,利用近场光K在与上述开口部23相对应的位置上对上述上层抗蚀剂13进行曝光。
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