公开(公告)号：CN1317286C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200410038451.0

申请日：2004-04-26

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 高森真由美 ,  大岛宪昭 ,  河野和久

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L28/65 ,  C07F17/00 ,  C07F17/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供具有低熔点，优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物，其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如下式(1)或(2)表示，其中R1表示氢或低级烷基；R2-R7分别表示氢、卤素等，其前提是排除R1-R7的特定组合；R8表示低级烷基；R9-R12分别表示氢、卤素等，其前提是排除R8-R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。