单芯片实现多通道抗干扰超高速无线通信的方法及系统

    公开(公告)号:CN110380747B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201910572526.X

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种单芯片实现多通道抗干扰超高速无线通信的方法及系统,采用抗干扰技术,结合2×2及以上MIMO的多通道技术,采用320MHz及以上的高信道带宽、256QAM及以上的高阶调制方式,并利用单芯片实现超高速无线通信。通信系统包括接收机、发射机、数字基带、大于或等于2根天线以及大于或等于2个开关,接收机包含大于或等于2个接收通道,发射机包括大于或等于2个发射通道。本发明利用抗干扰电路及算法,提高信道选择特性,在有限的可利用频谱资源下,提高单通道信道带宽;抑制多通道之间以及发射信号的干扰,提高频谱利用率及用户连接数量;提高接收机的线性度、降低接收机噪声系数,在高信道带宽下,仍可以采用高阶调制方式。

    一种宽带衰减器电路
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114499457B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202210075841.3

    申请日:2022-01-23

    Abstract: 本发明专利提出了一种宽带衰减器电路,衰减器包括第一衰减模块(100)、第二衰减模块(200)以及第三输出匹配网络(300),其中第一衰减模块(100)、第二衰减模块(200)的组合可以对信号进行衰减,实现更高的幅度调节精度,更大幅度调节范围。第一衰减模块(100)、第二衰减模块(200)以及第三输出匹配网络(300)具有相位补偿功能,从而降低附加相移,拓展带宽。本发明实现了宽带、高幅度调节精度、低附加相移的衰减器。

    单芯片实现多通道抗干扰超高速无线通信的方法及系统

    公开(公告)号:CN110380747A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910572526.X

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种单芯片实现多通道抗干扰超高速无线通信的方法及系统,采用抗干扰技术,结合2×2及以上MIMO的多通道技术,采用320MHz及以上的高信道带宽、256QAM及以上的高阶调制方式,并利用单芯片实现超高速无线通信。通信系统包括接收机、发射机、数字基带、大于或等于2根天线以及大于或等于2个开关,接收机包含大于或等于2个接收通道,发射机包括大于或等于2个发射通道。本发明利用抗干扰电路及算法,提高信道选择特性,在有限的可利用频谱资源下,提高单通道信道带宽;抑制多通道之间以及发射信号的干扰,提高频谱利用率及用户连接数量;提高接收机的线性度、降低接收机噪声系数,在高信道带宽下,仍可以采用高阶调制方式。

    一种新型场效应晶体管小信号等效电路模型参数提取方法

    公开(公告)号:CN110287582A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910540463.X

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明公开了一种利用特征函数的解析迭代法来提取场效应晶体管小信号等效电路模型参数的新型方法,该方法将场效应晶体管小信号等效电路划分成本征子电路、寄生子电路两个子电路。使用寄生子电路特征函数,提取寄生电容、寄生电阻和寄生电感作为第一轮寄生元件参数值。然后,使用第一轮寄生元件参数值剥离寄生电容、寄生电阻和寄生电感,使用本征子电路特征函数提取第一轮本征元件参数值。通过寄生子电路和本征子电路特征函数的差,提取得到第二轮寄生元件参数值,再剥离寄生电容、寄生电阻和寄生电感,使用本征子电路特征函数提取得到第二轮本征元件参数值。反复迭代至收敛到需要的精度。本发明可避免多值解问题,适用于不同工艺的场效应晶体管。

    一种有源衰减器电路
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114726340B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202210075829.2

    申请日:2022-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种有源衰减器电路,包括:第一匹配网络、第二有源幅度衰减调制模块、第三幅度及相位补偿模块、第四匹配网络。其中,第二有源幅度衰减调制模块采用共源共栅结构,用于依据第一调节指令调节衰减范围,按照调节后的衰减范围双端差分信号进行衰减,并将衰减后的双端信号传输到第三幅度及相位补偿模块。第三幅度及相位补偿模块用于调节幅度及相位补偿,对信号实现高精度、低附加相移的衰减。相比于传统结构,本发明的有源衰减器电路具有宽带、高集成度以及低附加相移和良好的带内平坦度。

    一种片上功率合成器的阻抗平衡度分析方法

    公开(公告)号:CN110991134B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN201911200635.5

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种片上功率合成器的阻抗平衡度分析方法,该方法首先根据功率合成器的实际物理结构和端口数量确定采用集总元件表示的电路模型;然后通过将一个输入端口连接到交流电压激励上,其他输入端口连接到电阻上,将输出端口连接到负载上,分析电流通路并计算相应输入端口的输入阻抗,在分析过程中将交流地节点视为电流通路上的中间节点,通过寻找最小支路电流来确定电流通路路径,并计算路径上的阻抗大小;最后根据各端口的输入阻抗以及平衡度的表达式计算输入端口间的平衡度。相比于传统方法需要大量的计算机和时间资源来进行仿真分析,利用本发明方法对片上功率合成器进行分析时,过程更加简便,耗时更短,且能找到平衡度失配的来源所在。

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