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公开(公告)号：CN102969976B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210470268.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本发明具有端口性能好的特点；本发明具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN103152066A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310036833.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种多芯片集成E波段接收模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路以及下变频结构；中频输入端采用标准SMA接头，本振输入端为标准波导法兰结构，射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现，低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明基于多芯片集成技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN102969976A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210470268.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本发明具有端口性能好的特点；本发明具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN101950860B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010517898.1
申请日：2010-10-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种模块化低成本的毫米波实时成像电扫描天线系统，包括N块重叠设置的完全相同的PCB单元且相邻的PCB单元之间设有间隙，所述的PCB单元包括介质基板，在介质基板的一个表面上覆有作为信号地的金属贴片，在介质基板的另一个表面上覆有与作为信号地的金属贴片共同作用构成天线阵列的金属贴片和PCB Rotman透镜，在天线与PCB Rotman透镜之间设有铁电体薄膜移相器阵列，并且，天线阵列的馈电端口与铁电体薄膜移相器阵列中的铁电体薄膜移相器的一端进行一对一连接，PCB Rotman透镜的阵列端口中的端口与铁电体薄膜移相器阵列中的铁电体薄膜移相器的另一端进行一对一连接。具有集成度高、扫描控制系统简单的优点。
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公开(公告)号：CN101217211A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810019397.3
申请日：2008-01-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 毫米波低反射高隔离功率合成器涉及一种能够工作在毫米波及其以上频段的低反射且输入端口之间高隔离的功率合成器，该合成器第一输入传输线(1)的一端是第一输入端口(8)，第二输入传输线(2)的一端是第二输入端口(9)，第一输入传输线(1)的另一端与第二输入传输线(2)的另一端相连并在此与输出传输线(4)的一端相连形成三线交汇处(7)，隔离传输线(3)接在第一输入传输线(1)与第二输入传输线(2)之间，吸收材料(11)放在隔离传输线(3)上，该低反射高隔离功率合成器解决了在毫米波或者更高频段的功率合成器由于没有可用的集中参数隔离电阻造成的三个端口不能同时匹配以及输入传输线之间隔离不好的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119652711A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411285458.6
申请日：2024-09-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种应用于多种调制方式的可重构直接射频调制发射机架构，包含L、H两条调制链路，每条链路由I、Q路径分别进行相位调制和幅度调制。通过可重构开关设置，当只有L链路参与工作时，产生QPSK、STAR‑QAM、8PSK和16‑QAM调制方案；当L、H链路均参与工作时，产生16‑QAM、64‑QAM以及256‑QAM更高阶调制方案。提出可重构三路Doherty功率放大器输出逆变网络结构，当调制链路产生低阶调制方案时，输出为两路串联Doherty功率放大器结构；当调制链路产生高阶调制方案时，输出为三路串‑并联Doherty功率放大器结构。本发明降低损耗和功耗的同时提高了发射机整体效率。
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公开(公告)号：CN108717995B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810351522.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种超小型ULF/VLF旋转电荷天线，包括转轮，转轮上设有导体板，转轮轴上套设有导电环，导电环与转轮轴之间绝缘，导电环外侧设有导电碳刷，转轮旋转时，导电环能够与导电碳刷保持接触，导电环还与导体板电连接，导电碳刷连接电压源的正极。本发明设计的天线具有极小的电尺寸，在ULF/VLF频段可以用米级的体积实现，远远小于现有技术中体积为千米级的天线，并且不会影响天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN108736146B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810351505.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种超小型ULF/VLF旋转电流天线，包括发光装置和转盘，转盘包括依次设置的正极金属层、P型半导体层、N型半导体层和负极金属层，正极金属层上设有光孔，转盘上还设有导电线圈，导电线圈的两端分别连接正极金属层和负极金属层。本发明设计的天线具有极小的电尺寸，在ULF/VLF频段可以用米级的体积实现，远远小于现有技术中体积为千米级的天线，并且不会影响天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN105024647B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510443954.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种全波段太赫兹三倍频模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入端的匹配波导、芯片通道和输出端的匹配波导；芯片通道内设置太赫兹全波段倍频芯片，所述太赫兹全波段倍频芯粘接在金属上基座上，所述太赫兹全波段倍频芯片分别与输入端的匹配波导和输出端的匹配波导连接。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术，具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点；本发明具有全波段带宽的特点；本发明具有无需外加偏置的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN104319466A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410499837.5
申请日：2014-09-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种多波束扫描天线，包括第一PCB板、第二PCB板及第三PCB板，3块PCB板由下至上紧密贴合，在第一PCB板上的基板上设置金属接地板和Rotman透镜，在第三PCB板上的基板上设置微带贴片阵列及直流加载线，在第二PCB板上的一侧设置通孔，在通孔内设置同轴连接件用以连接第一PCB板与第三PCB板，在同轴连接件包括金属线芯，在金属线芯外侧包覆绝缘介质，且金属线芯的两端向外伸出绝缘介质。微带贴片阵列由至少2条微带贴片线阵组成，每条微带贴片线阵包含至少2个微带贴片单元、在每两个微带贴片单元之间使用微带线连接。本发明与现有技术相比，其可作出二维空间内的电扫描，且该本发明所述天线结构简单，维护方便。
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