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公开(公告)号:CN117154361A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311318087.2
申请日:2023-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水平垂直交叉耦合的双层基片集成波导矩形腔滤波器,包括从上往下堆叠的上层单元、粘结层、下层单元。第一矩形谐振腔(R1)与第二矩形谐振腔(R2)通过第一耦合槽(13)和第三耦合槽(15)形成垂直耦合,第二矩形谐振腔与第三矩形谐振腔(R3)通过第二耦合槽(14)和第三耦合槽形成垂直耦合;第一矩形谐振腔和第三矩形谐振腔通过耦合窗(12)形成水平耦合;垂直耦合路径为主耦合路径,水平耦合路径为交叉耦合路径,垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构,本发明在提升了滤波器选择性的情况下,实现了小型化。适用于24GHz‑26GHz频段,可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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公开(公告)号:CN116388693A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310451717.7
申请日:2023-04-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多模基片集成波导滤波功分器的低相噪振荡器,包括多模基片集成波导滤波功分器、放大单元、环路移相微带线;所述多模基片集成波导滤波功分器包括沿周向均匀分布的金属化通孔阵列组成的基片集成波导圆形腔,一个输入端口和两个输出端口;在基片集成波导圆形腔内部包括位于中间的第一类金属扰动通孔和位于第一类金属扰动通孔两侧的第二类金属扰动通孔;多模基片集成波导滤波功分器的输入端通过环路移相微带线连接放大单元的输出端,多模基片集成波导滤波器的一个输出端通过环路移相微带线连接放大单元的输入端,另一个输出端输出信号。本发明结构简单,尺寸较小且有效降低了相位噪声。
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公开(公告)号:CN111276781A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN202010166729.1
申请日:2020-03-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器,包括二阶基片集成波导圆形腔,二阶基片集成波导圆形腔由单个基片集成波导圆形腔中心对称得到,二阶基片集成波导圆形腔包括介质基片,介质基片的上表面设有上金属层,介质基片的下表面设有下金属层,介质基片中沿二阶基片集成波导圆形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔,同时介质基片中心和四周添加若干贯穿上金属层和下金属层的金属微扰通孔。相对于传统的基于基模的基片集成波导滤波器以及多层和多阶结构的基片集成波导滤波器,本发明结构简单,加工方便,体积更小,频率更高,适用于42~47GHz频段,可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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