-
公开(公告)号:CN119995327A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510234333.9
申请日:2025-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路。本发明分别在高/低侧驱动电路内设置上/下桥臂串扰抑制电路;上桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收高侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰,在功率管关断时吸收高侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰;下桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收低侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰,在功率管关断时吸收低侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰。本发明有效抑制了上/下桥臂串扰,保护了GaN HEMT功率器件的栅极,提高了GaN HEMT半桥驱动电路的可靠性。
-
公开(公告)号:CN114089122B
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202111466741.5
申请日:2021-12-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明提出一种基于直流断路器结构复用的故障测距方法,所述测距方法利用典型直流断路器转移支路已有的充电电容、电感,在故障隔离后系统失电情况下,通过增设接地点、继电器和电感元件构成改造直流断路器,与线路故障点构成RLC衰减振荡回路。采用Prony算法提取并处理放电电流,得到测距回路的特征参数,建立故障测距算法,实现了故障距离的求解。所提方法能够准确、可靠定位直流线路单极接地故障和双极短路故障的故障点,原理简明,采样频率要求低,建设和改造成本低。
-
公开(公告)号:CN114089122A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202111466741.5
申请日:2021-12-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明提出一种基于直流断路器结构复用的故障测距方法,所述测距方法利用典型直流断路器转移支路已有的充电电容、电感,在故障隔离后系统失电情况下,通过增设接地点、继电器和电感元件构成改造直流断路器,与线路故障点构成RLC衰减振荡回路。采用Prony算法提取并处理放电电流,得到测距回路的特征参数,建立故障测距算法,实现了故障距离的求解。所提方法能够准确、可靠定位直流线路单极接地故障和双极短路故障的故障点,原理简明,采样频率要求低,建设和改造成本低。
-
-