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公开(公告)号：CN112671382B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202011489552.5
申请日：2020-12-16
Applicant: 东南大学
IPC: H03K17/041 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种栅压自举开关电路，包括采样开关管M1、第一NMOS管M2、第二NMOS管M3、第一PMOS管M4、第二PMOS管M5、第三NMOS管M6、第四NMOS管M7、第三PMOS管M8、第四PMOS管M9、第五NMOS管M10、第六NMOS管M11、第五PMOS管M12、第六PMOS管M13、第七PMOS管M14、第七NMOS管M15、第八NMOS管M16、第一电容C1、自举电容Cb、负载电容Cs；本发明使采样开关管M1、第一NMOS管M2和第二PMOS管M5更快导通的同时降低了其导通电阻；断开了采样开关管M1与多个MOS管的连接，使得寄生电容明显减小，提升了采样开关的带宽。
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