-
公开(公告)号：CN115864771A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211555044.1
申请日：2022-12-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种串联磁路自漏磁型可变磁通记忆电机，涉及电机技术领域。本发明包括定子、转子和绕组，转子设置有第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体、扇形磁障和磁桥，第一永磁体、第二永磁体分别呈一字型周向均布于第一层和第二层转子铁心，两个第一永磁体之间设置扇形磁障，第三永磁体呈轮辐状径向均布于转子铁心，扇形磁障分别和永磁体、转子外缘之间设置磁桥，第一永磁体分别和第二永磁体、第三永磁体构成串联磁路。本发明可以突破传统串联内置式可变磁通记忆电机调磁范围窄的瓶颈问题，同时能够保持高转矩密度，降低所需去磁电流的幅值，并且拓宽电机高效运行范围。
-
公开(公告)号：CN112671299B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110043890.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机调磁电流精确控制方法，包括调磁控制模块根据电机的实际角速度ωm，选择合适的磁化状态输出对应的梯形波d轴调磁电流脉冲idpulse进行调磁；设计dq轴前馈电流调节器，输出dq轴前馈补偿电压分量ufd和ufq；设计dq轴自抗扰电流控制器，补偿dq轴扰动电压分量udd和udq；前馈补偿电压与扰动电压分量之和为dq轴参考电压和相比基于PI控制的记忆电机交流调磁技术，本发明提高了电流轨迹的跟踪性能，可以做到无超调地快速跟踪，进而缩短了记忆电机调磁时间，降低转矩波动。
-
公开(公告)号：CN115372715B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202211016100.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种记忆电机调磁期间直轴电感测量方法，通过磁化曲线近似得到调磁期间记忆电机永磁磁链变化，改进传统电压脉冲注入法，使其可以计算得到记忆电机直轴电感值，可以准确测量记忆电机调磁期间直轴电感变化值，为记忆电机模型建立提供数据支撑。解决了现有技术中记忆电机调磁期间直轴电感参数难以测量的问题。
-
公开(公告)号：CN115356628B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202211016313.7
申请日：2022-08-24
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/34
Abstract: 本发明公开一种交流调磁型记忆电机测试方法，包括如下步骤：S1、测量记忆电机磁化曲线；S2、根据电机磁化曲线以及实际需求，选择n个记忆电机运行的磁化状态，分别记为MSi；S3、根据磁化曲线，初步估计得到在保证磁化状态MSi不退磁，所能允许施加的最大d轴退磁电流，记为Ide_i；S4、得到准确的退磁电流Ide_i；S5、测量MSi磁化状态下的MTPA轨迹。本发明根据记忆电机特性，给出了交流调磁型记忆电机完善测试的步骤，为该种电机测试提供指导；以实现记忆电机磁化曲线测量，磁化状态选择，不同磁化状态下的退磁特性、MTPA轨迹测量，为记忆电机宽调速运行提供支撑。解决了现有技术中记忆电机测试复杂的问题。
-
公开(公告)号：CN115720064A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211504309.5
申请日：2022-11-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高凸极率记忆电机充磁转速波动抑制方法，涉及电机控制技术领域。本发明公开了一种高凸极率记忆电机充磁转速波动抑制方法，针对高凸极率记忆电机充磁时出现负转矩从而导致转速波动很大这一问题，本发明方法借助扰动转矩观测器来观测电机的电磁转矩，预测负电磁转矩出现的时间，此时将转速控制器的输出反向，作为交轴电流参考值，从而避免充磁时出现较大负转矩，大大降低了转速波动。该高凸极率记忆电机充磁转速波动抑制方法可以在线观测出何时应当反向交轴电流，不受电机参数变化的影响。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115356628A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211016313.7
申请日：2022-08-24
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/34
Abstract: 本发明公开一种交流调磁型记忆电机测试方法，包括如下步骤：S1、测量记忆电机磁化曲线；S2、根据电机磁化曲线以及实际需求，选择n个记忆电机运行的磁化状态，分别记为MSi；S3、根据磁化曲线，初步估计得到在保证磁化状态MSi不退磁，所能允许施加的最大d轴退磁电流，记为Ide_i；S4、得到准确的退磁电流Ide_i；S5、测量MSi磁化状态下的MTPA轨迹。本发明根据记忆电机特性，给出了交流调磁型记忆电机完善测试的步骤，为该种电机测试提供指导；以实现记忆电机磁化曲线测量，磁化状态选择，不同磁化状态下的退磁特性、MTPA轨迹测量，为记忆电机宽调速运行提供支撑。解决了现有技术中记忆电机测试复杂的问题。
-
公开(公告)号：CN113141141A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110454039.0
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机永磁磁链观测方法，该方法设计了基于前馈解耦的自抗扰电流控制器，通过q轴扰动分量计算得到永磁磁链观测值；根据电压方程和观测的磁链值，在线辨识出d、q轴电感值，反馈至电流控制器，得到磁链估计的准确值。该种方法巧妙地利用了所设计的电流控制器扰动分量进行磁链观测，同时又能提高调磁电流跟踪精度。此外，通过反馈在线辨识的d、q轴电感值至控制器，提高了磁链观测的鲁棒性，适用于电机参数变化大场合。
-
公开(公告)号：CN113141141B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110454039.0
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机永磁磁链观测方法，该方法设计了基于前馈解耦的自抗扰电流控制器，通过q轴扰动分量计算得到永磁磁链观测值；根据电压方程和观测的磁链值，在线辨识出d、q轴电感值，反馈至电流控制器，得到磁链估计的准确值。该种方法巧妙地利用了所设计的电流控制器扰动分量进行磁链观测，同时又能提高调磁电流跟踪精度。此外，通过反馈在线辨识的d、q轴电感值至控制器，提高了磁链观测的鲁棒性，适用于电机参数变化大场合。
-
公开(公告)号：CN115642843A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211363837.3
申请日：2022-11-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于交轴电流反向的记忆电机调磁转速波动抑制方法，涉及电机控制技术领域。本发明公开了一种基于交轴电流反向的记忆电机调磁转速波动抑制方法，针对高凸极率记忆电机充磁时电磁转矩反向从而导致转速波动很大这一问题，本发明方法通过提前测量转矩反向对应的直轴电流值，当实际直轴调磁电流处于转矩反向对应电流范围内时，将转速控制器的输出反向，作为交轴电流参考值。该种方法可以避免调磁时出现负转矩(即转矩反向)，降低了转矩波动，因此大大降低了转速波动。
-
公开(公告)号：CN115372715A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211016100.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种记忆电机调磁期间直轴电感测量方法，通过磁化曲线近似得到调磁期间记忆电机永磁磁链变化，改进传统电压脉冲注入法，使其可以计算得到记忆电机直轴电感值，可以准确测量记忆电机调磁期间直轴电感变化值，为记忆电机模型建立提供数据支撑。解决了现有技术中记忆电机调磁期间直轴电感参数难以测量的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.017 seconds)
