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公开(公告)号:CN113059158A
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN202110301701.9
申请日:2021-03-22
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,包括以下工艺步骤:(1)混粉:按照原料的配比将Al粉、Si粉、稀土氧化物粉末放入混粉机中进行混粉;(2)表面预处理:将混粉后的混合粉末摻入胶黏剂,并将其涂抹在抛光后的铝块上;(3)电子束表面改性:将表面预处理后的铝块置于6×10‑3Pa的真空条件下,对其表面进行电子束处理,获得产品。本发明方法工艺操作简单,绿色环保,本发明将电子束与粉末冶金工艺技术结合,解决了传统熔炼法制备的高硅铝硅合金经电子束产生的微裂纹无法用稀土消除的问题。由于粉末冶金工艺制备的合金初生硅尺寸可控,可实现初生硅的细化,进而充分发挥了稀土消除电子束处理后产生的微裂纹和熔坑的作用。
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公开(公告)号:CN114604864A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202210372501.7
申请日:2022-04-11
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C25B1/135
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域,提出了限域电化学法剥离石墨类材料制备石墨烯的方法,配置电化学剥离液及预处理液;石墨材料置于预处理液静置;预处理后的石墨材料与限域金属网作为阳极,金属铂片作为阴极,置于混合电化学玻璃液中;进行预剥离和恒压剥离;过滤、洗涤、超声分散和冷冻干燥得到石墨烯。经该方法得到的石墨烯缺陷低,质量好。而且该方法的制备所需原料简单易得,加工过程简单,反应所需的工程工艺参数易于达到,适宜于工业生产,具有重要的科学价值和广泛地应用前景。
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公开(公告)号:CN113122745A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN202110359061.7
申请日:2021-04-02
Applicant: 东北大学
IPC: C22C1/05 , C22C1/10 , B22F9/08 , B22F1/00 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/04 , C22C5/06 , C22C32/00 , C22F1/14 , H01B13/00
Abstract: 本发明属于电工材料制造领域,公开了一种银氧化锡复合电接触材料制备方法。采用粉末预氧化法和粉末冶金法相结合的工艺制备的电接触材料,使得导电陶瓷颗粒在Ag基体中的分布非常均匀,而且由于导电陶瓷的添加不仅降低了材料的电阻率,还赋予材料很好的抗电弧侵蚀性以及灭弧性。此工艺得到的第二相颗粒尺寸小于1μm,晶粒细化后材料的硬度及电寿命得到了提升。本发明可以满足材料在交流和直流的大电流条件下的使用,电寿命均超过15万次以上。
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公开(公告)号:CN112609247A
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN202011231385.4
申请日:2020-11-06
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种静电纺丝法制备银氧化锡电接触材料的方法,采用静电纺丝法预先制备银氧化锡纤维材料,然后按照冲断压制‑烧结‑热镦‑挤压‑拉拔工艺制备银氧化锡丝材。本发明可以获得以下技术效果:采用静电纺丝法制备的银氧化锡电接触材料,可以获得纤维状的微观结构,有利于电流的传输,且SnO2颗粒的分布在Ag基体中的分布也非常均匀,Ag与SnO2的界面也结合的很好,拥有良好的加工性能和电性能。
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公开(公告)号:CN111646462A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010317719.3
申请日:2020-04-21
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/19 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M10/04 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于材料表面处理领域,尤其涉及一种强流脉冲电子束制备高品质还原氧化石墨烯的生产方法。本发明成功地将电子束处理的高温、真空、清洁无污染的技术特点加以应用,使得氧化石墨烯经过HCPEB处理之后成为具有优异电化学性能的高品质还原氧化石墨烯,最终以其为原料制备出锂离子负极材料,并应用于锂离子电池当中。该高品质还原氧化石墨烯的应用能够有效提高锂离子电池的各项性能,为锂离子电池的发展贡献了新思路。此外,该制备方法为HCPEB技术的应用大大拓宽了范围,将通常应用于金属材料表面改性及表面净化除杂的HCPEB技术转变成一种清洁高效的高温还原技术,将对HCPEB技术的应用方式产生深远影响。
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