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公开(公告)号：CN110418778A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880017411.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
IPC: C07C17/361 , C07C19/08 , C07B61/00
Abstract: 本发明提供了一种有利于工业制造氟化烃(3)的方法。本发明涉及的制造式(3)表示的氟化烃的方法的特征在于，在烃系溶剂中，在锂盐或钠盐的存在下，使下述式(1)表示的仲醚或叔醚化合物与式(2)表示的酰氟接触(式中，R1、R2各自表示碳原子数为1～3的烷基，R1和R2能够结合而形成环结构。R3表示氢原子、甲基或乙基，R4、R5表示甲基或乙基。)。
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公开(公告)号：CN109563012A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047059.8
申请日：2017-08-17
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
IPC: C07C17/395 , C07C17/26 , C07C19/08 , C07C23/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种从包含丁烯类的粗单氟丁烷中在实质上不使单氟丁烷分解、变质等的情况下有效地除去丁烯类的工业上简便且廉价的方法。在本发明的单氟丁烷的纯化方法中，将含有丁烯类的粗单氟丁烷在碱水溶液存在下与三卤甲烷接触而将上述丁烯类转化为比上述单氟丁烷沸点高的化合物之后，向得到的反应混合物中添加水而使生成的盐溶解，分离有机层，将分离的有机层蒸馏纯化。
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公开(公告)号：CN107848913A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041831.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
IPC: C07C17/093 , C07C19/08 , C07B61/00
Abstract: 本发明为制造结构式(3)所示的氟化烃的方法，其特征在于，在烃系溶剂中，在担载了三氟化硼的金属氧化物的存在下，使下述结构式(1)所示的仲醚化合物或叔醚化合物与结构式(2)所示的酰氟接触。下述结构式(1)～(3)中，R1和R2表示碳原子数为1～3的烷基，R1和R2可键合而形成环结构。R3表示氢原子、甲基或乙基，R4、R5表示甲基或乙基。根据本发明提供在工业上有利地制造2-氟丁烷的方法。
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公开(公告)号：CN101410359B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780010864.X
申请日：2007-03-30
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
Abstract: 制备全氟炔烃化合物的方法，包括：加成反应步骤：将Cl2、Br2或I2加入到式(1)CH3C≡CR1表示的化合物中，获得式(2)CH3CX2CX2R1表示的化合物，氟化反应步骤：式(2)表示的化合物与氟气反应，获得式(3)CF3CX2CX2R2表示的化合物，和脱卤反应步骤：使式(3)表示的化合物与金属或有机金属化合物接触，获得式(4)CF3C≡CR2表示的全氟炔烃化合物。按照本发明，使用对环境无害和工业上可获得的起始原料，可以高效和高产率地制备全氟炔烃化合物。在上式中，R1表示甲基或乙基，X表示Cl、Br或I，R2表示三氟甲基或五氟乙基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1613143A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826800.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C07C21/22 , C07C17/25 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 含有碳原子数5或6的链状全氟炔烃、优选全氟－2－戊炔的等离子体反应用气体。该等离子体反应用气体适用于通过干式蚀刻形成微细图案、通过CVD形成薄膜和灰化。上述等离子体反应用气体可通过使二氢氟烷烃化合物或一氢氟烯烃化合物与碱性化合物接触合成。
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公开(公告)号：CN105358510B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201480037929.X
申请日：2014-07-16
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
IPC: C07C17/395 , C07C17/383 , C07C19/08
CPC classification number: C07C17/395 , C07C17/013 , C07C17/02 , C07C17/383 , C07C19/08
Abstract: 本发明涉及通过以下方法得到高度纯化的2‑氟丁烷的2‑氟丁烷的纯化方法，所述方法包括以下工序：在非质子性极性溶剂中，在水或碳原子数为4以下的醇存在下，使能够形成溴鎓离子的溴化剂与含有5～50重量％的丁烯类的粗2‑氟丁烷中的丁烯类接触，将丁烯类转化为沸点比2‑氟丁烷高的化合物，然后从反应液回收2‑氟丁烷，进而将回收的2‑氟丁烷蒸馏纯化。
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公开(公告)号：CN105324356A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480034675.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
IPC: C07C19/08 , C07C17/383 , C07C17/389 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C19/08 , C09K13/00
Abstract: 本发明涉及：高纯度1-氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下；该物质作为干蚀刻气体的用途；以及将所述高纯度1-氟代丁烷用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。根据本发明，可以提供适合作为面向半导体的等离子体反应用气体的高纯度1-氟代丁烷，该物质作为干蚀刻气体的用途以及将所述高纯度1-氟代丁烷用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN101410359A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010864.X
申请日：2007-03-30
Applicant: 日本瑞翁株式会社
Inventor： 杉本达也
Abstract: 制备全氟炔烃化合物的方法，包括：加成反应步骤：将Cl2、Br2或I2加入到式(1)CH3C≡CR1表示的化合物中，获得式(2)CH3CX2CX2R1表示的化合物，氟化反应步骤：式(2)表示的化合物与氟气反应，获得式(3)CF3CX2CX2R2表示的化合物，和脱卤反应步骤：使式(3)表示的化合物与金属或有机金属化合物接触，获得式(4)CF3C≡CR2表示的全氟炔烃化合物。按照本发明，使用对环境无害和工业上可获得的起始原料，可以高效和高产率地制备全氟炔烃化合物。在上式中，R1表示甲基或乙基，X表示Cl、Br或I，R2表示三氟甲基或五氟乙基。
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