-
公开(公告)号：CN104743507B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510143216.8
申请日：2015-03-30
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种在微器件表面区域性生长氧化锌纳米线阵列的方法，即首先是在微器件表面沉积一层聚对二甲苯类衍生物薄膜；然后再利用氧等离子体使用光刻工艺对聚对二甲苯类衍生物薄膜进行刻蚀，在微器件表面被氧等离子体刻蚀掉的聚对二甲苯类衍生物薄膜区和被保留的聚对二甲苯类衍生物薄膜区在微器件表面形成图形区域；最后使用水热法在温度低于100℃下将氧化锌纳米线阵列原位生长于微器件表面被氧等离子体刻蚀掉的聚对二甲苯类衍生物薄膜区，从而得到表面区域性生长氧化锌纳米线阵列的微器件。该方法可以保证在氧化锌纳米线的生长过程中微器件上原有的电极等元件不致损害，即本方法与微器件的制造具有兼容性。
-
公开(公告)号：CN104743507A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510143216.8
申请日：2015-03-30
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种在微器件表面区域性生长氧化锌纳米线阵列的方法，即首先是在微器件表面沉积一层聚对二甲苯类衍生物薄膜；然后再利用氧等离子体使用光刻工艺对聚对二甲苯类衍生物薄膜进行刻蚀，在微器件表面被氧等离子体刻蚀掉的聚对二甲苯类衍生物薄膜区和被保留的聚对二甲苯类衍生物薄膜区在微器件表面形成图形区域；最后使用水热法在温度低于100℃下将氧化锌纳米线阵列原位生长于微器件表面被氧等离子体刻蚀掉的聚对二甲苯类衍生物薄膜区，从而得到表面区域性生长氧化锌纳米线阵列的微器件。该方法可以保证在氧化锌纳米线的生长过程中微器件上原有的电极等元件不致损害，即本方法与微器件的制造具有兼容性。
-
Search Results
12
records
(took 0.062 seconds)
