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公开(公告)号：CN105254283A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510593043.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/10
Abstract: 本发明一种氧化铝陶瓷基材料的制备方法，称取纳米氧化铝粉体、氧化铝粉体、TiO2、CaO、MgO、SiO2、聚丙烯酸PAA，将纳米氧化铝粉体添加进氧化铝粉体中，倒入球磨装置中，并添加TiO2、CaO、MgO、SiO2、聚丙烯酸PAA和水，在行星球磨机中球磨。然后取出，倒入一个反应容器中；将上述得到的浆料干燥，然后取出，用干压成型法压制成片，再在200-240MPa压力下进行冷等静压，保压30-300s；将得到的试样在1450-1500℃下烧结，保温2-3h后冷却至室温，获得氧化铝陶瓷基材料。通过本发明的方法可以得到细小均匀的氧化铝晶相、高的抗弯强度和断裂韧性的氧化铝陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN102528058B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110452318.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开了一种防止高熔点物质阻塞的全封闭气体雾化制粉装置，它由保温坩埚、雾化器、雾化塔、可伸缩塑料管A、可伸缩塑料管B等组成，雾化器安装在可伸缩塑料管A内，可伸缩塑料管A分别与保温坩埚和雾化器的喷嘴上表面密封连接，雾化塔与喷嘴下表面通过可伸缩塑料管B密封连接，形成全封闭系统结构，可避免雾化器上形成高熔点物质及所引起的雾化器堵塞。且雾化器的导流管与金属外套之间的间隙内安装发热体，通电可解决金属或合金导致的喷嘴堵塞。当雾化器发生堵塞的时候，可调换陶瓷圆环来解决堵塞问题。本发明的一种防止高熔点物质阻塞的全封闭气体雾化制粉装置具有结构简单、安装方便、有效防止和解决堵塞、提高粉体质量等优点。
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公开(公告)号：CN102489712B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110452080.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开了一种雾化器，由导流管、金属外套、喷嘴、发热体、陶瓷密封环等组成，导流管与金属外套之间留有间隙，间隙内安装发热体，金属外套内表面设有金属反射膜或喷涂而成的反射涂层，金属外套自上而下在靠近下端部出口的1/3～1/2处的一端渐缩成外锥形体，且下端部与导流管平齐，金属外套外锥形体与导流管下端部出口处之间间隙用陶瓷密封环密封。本发明的一种雾化器可有效防止金属和合金堵塞、解决堵塞的目的。本发明的一种雾化器适用于金属或合金雾化的熔体导流，且具有结构简单、安装方便、可提高生产效率等优点。
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公开(公告)号：CN102677175A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210167241.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，晶体生长结束后将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。本发明的一种砷化镓单晶的生长方法，生长的晶体热应力小和均匀性好，且位错密度较低。
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公开(公告)号：CN102011187A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101844922A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010147911.9
申请日：2010-04-15
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B2235/605
Abstract: 本发明公开了一种GGG透明激光陶瓷的制备方法，包括下列步骤：(1)、将GGG粉体和烧结助剂Nd2O3放在水中均匀混合，GGG粉体和烧结助剂Nd2O3的重量比例为98～90∶10～2；(2)、将混合好的原料在磁场下2MPa压力成型，磁场强度为1~10T，然后通过热压烧结或者真空烧结或者SPS烧结的方式进行烧结，待烧结结束后，将产物随炉冷却至室温，即得到所述GGG透明激光陶瓷。本发明方法简便易行，适合工业应用。
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公开(公告)号：CN105503189B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510985431.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/505 , C04B35/64
Abstract: 本发明一种铁酸钇陶瓷的制备方法，称取YFeO3粉料、氧化饵和去离子水，所述的YFeO3粉料、氧化饵和去离子水的质量比为100:0.5~2:100~210，将YFeO3粉料、氧化饵和去离子水放入球磨罐中球磨混合；球磨后的粉料放置于干燥箱中干燥；添加聚乙烯醇，所述的聚乙烯醇添加量为粉料质量的1~2%，混合均匀；将粉体加入到一个模具中，压片成型，所述的压片成型的压力为5~10MPa；冷等静压，制成陶瓷素坯，所述的等静压压力为100~200MPa；将陶瓷素坯烧结，所述的烧结温度为1250~1450℃，得到铁酸钇陶瓷。本发明通过氧化饵为烧结助剂来制备铁酸钇陶瓷，其密度高，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN104674347B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510065976.1
申请日：2015-02-09
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种沿（202）晶面择优生长的高取向性棱柱状的铁酸钇粉体的制备方法，首先按摩尔比，Y:Fe为1:1，将Y(NO3)3·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O溶解于去离子水中得Y(NO3)3和Fe(NO3)3混合溶液，然后加入NaOH，搅拌至均匀，得到的悬浊液控制温度为220-240℃进行水热反应9-72h，然后冷却至室温，得到的反应液用去离子水或依次用去离子水和稀硝酸进行超声洗涤，静置，倒去上层清液，所得的沉淀在80-120℃温度下干燥，即得棱柱状的沿（202）晶面择优生长的高取向性棱柱状的铁酸钇粉体。该制备方法只需水热反应釜，具有工艺简单、生产效率高、成本低廉等特点，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105540677A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610143080.5
申请日：2016-03-14
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: C01G49/0054 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开一种燃烧合成铁酸钇粉的制备方法，首先按摩尔比计算，即硝酸钇：硝酸铁=1-1.5：1-1.5比例将其溶入去离子水中，得到混合硝酸盐溶液；然后加入还原剂，得到的混合溶液控制温度为200-600℃下进行燃烧合成反应5-30分钟，自然冷却至室温，即得铁酸钇粉。该方法适用于离子掺杂的铁酸钇粉的制备。本发明的制备方法所得的铁酸钇粉疏松，易于处理；产物颗粒细小，纯度高；反应快速，效率高，设备、工艺简单。
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公开(公告)号：CN104150539B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410318116.X
申请日：2014-07-07
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明一种纳米铁酸钇粉体的制备方法，属于纳米材料学领域，以Y2O3和Fe(NO3)3·9H2O为原料，首先将Y2O3用HNO3溶解，制得Y(NO3)3溶液，再按照Y:Fe=1:1（摩尔比）称取Fe(NO3)3·9H2O，然后加入Y(NO3)3溶液中配制成混合溶液，再用KOH溶液调节pH值，矿化后的沉淀物用去离子水清洗过滤得沉淀物，得到的沉淀重新分散到去离子水中并调节pH值，在200～280℃下水热反应，得到铁酸钇粉体。本发明通过调节溶液pH值、反应时间和温度来控制产物的物相和形貌，得到粒径小、分散性好的铁酸钇纳米粉体。本发明工艺简单、合成温度低，反应产物纯度高，粒径小，粒度分布均匀，产率高。
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