公开(公告)号：CN118086833B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410110825.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 卞西磊 ,  俞潇龙 ,  何洲洋 ,  孙国栋 ,  贾延东 ,  王庆 ,  王刚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C30/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/05 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法，属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射，通过溅射参数的控制，得到氧原子掺杂量为12.5at.％的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50％压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。

公开(公告)号：CN118086833A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410110825.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 卞西磊 ,  俞潇龙 ,  何洲洋 ,  孙国栋 ,  贾延东 ,  王庆 ,  王刚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C30/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/05 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法，属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射，通过溅射参数的控制，得到氧原子掺杂量为12.5at.％的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50％压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。

公开(公告)号：CN116497300A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310513302.8

申请日：2023-05-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 邱型宝 ,  卞西磊 ,  王刚

IPC: C22F1/18 ,  C22C45/10

Abstract: 本发明公开了一种采用低温热循环处理调控非晶合金残余应力和回春行为的方法，该方法包含以下步骤：通过三轴应力状态压缩回春Zr基非晶合金样品；对上述回春试样进行低温热循环处理，首先将回春态非晶合金放置在液氮中保持1min，然后迅速将非晶合金样品拿出液氮并用冷风吹风机吹干1min形成一个循环周期，重复上述的操作步骤完成剩余的循环次数。结果发现，随着低温热循环处理次数的增加，三轴应力状态压缩引入的残余应力逐渐被软区膨胀的内应力抵消，即表现为致密的非晶合金结构逐渐松散，能量状态降低，平均硬度下降，压缩强度降低。本发明为调控非晶合金的能量状态、进而为实现其机械性能的调控提供了新的思路与方案。

公开(公告)号：CN116288567A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310397819.5

申请日：2023-04-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 易军 ,  胡凯 ,  黄波 ,  卞西磊 ,  贾延东 ,  王刚

IPC: C25D5/10 ,  C25D5/16 ,  C25D5/04 ,  C25D5/50 ,  C25D5/12 ,  C25D5/00

Abstract: 本发明涉及一种高强韧性低电阻率层状金属及其制备方法，该金属由一层大晶粒层和一层小晶粒层交替构成，层界面之间属于金属键结合，并且大晶粒层和小晶粒层中均表现为双峰晶粒的异构分布，晶粒内部位错密度极低，小于1.1×107/dm‑2，d是晶粒尺寸。利用交替变化的电流密度，实现层状金属材料制备，电镀过程中阴极高速旋转，沉积产物和电解液之间存在切应力的作用，制备出具有孪晶结构的层状的金属材料。对孪晶层状金属材料经过较低的升温速率再结晶退火。与现有技术相比，本发明可制得具有高强韧性和低电阻率的金属材料。

公开(公告)号：CN113013033B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202011516548.3

申请日：2020-12-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 易军 ,  陈嘉源 ,  黄波 ,  贾延东 ,  卞西磊 ,  王刚

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明公开了一种金属厚膜离子束刻蚀方法，是将厚膜样品结合光刻工艺和离子束刻蚀的方法，将金属厚膜部分刻蚀并使其变脆，然后机械剥离金属厚膜的刻蚀区与未刻蚀区得到具体想要花样的金属厚膜，并且不改变或者损坏膜内部结构和性能，为金属厚膜在芯片、集成电路和促动器上的应用打下技术基础。其中可供刻蚀的膜成分包括所有的纯金属和合金，厚膜的厚度1‑50μm，光刻胶包括所有型号的光刻胶。被刻蚀的地方可与未被刻蚀附着光刻胶的地方机械剥离从而得到具有各种花样的金属膜样品，此技术可以减少刻蚀时间，不用完全刻透厚膜，即可实现厚膜的刻蚀，增加了刻蚀的效率。

公开(公告)号：CN114192800A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111527750.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 贾延东 ,  彭聪 ,  王刚 ,  孙康 ,  卞西磊 ,  翟启杰

IPC: B22F10/28 ,  B22F10/64 ,  C22C1/04 ,  C22C30/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20

Abstract: 本发明属于合金制造技术领域。本发明提供了一种选区电子束熔化技术制备高致密度和高强韧高熵合金的方法，通过电子束增材技术得到合金构件，对合金构件固溶处理后即可获得。本发明提供的高熵合金具有良好的致密度、尺寸精度，以及优异的力学性能。测试后发现合金构件的产品组织得到改善，晶粒沿着建造方向生长，且晶粒内存在枝晶，由FCC相、L12相和L21相构成。经过后续热处理工艺得到的高熵合金主要由FCC相、L12相组成，合金的力学性能得到了进一步的提高。本发明提供的高熵合金经过测试室温屈服强度为601.7MPa，抗拉强度为848.8MPa，断裂伸长率为23.9％，是一种性能优异的合金。