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公开(公告)号：CN109491010B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811531401.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于光相控阵的硅基集成光学可调延时线，依次包括：光相控阵发射单元，平板波导传输单元，光相控阵接收单元。利用光相控发射单元，通过移相器调控通道间的相位差，改变远场干涉光斑，形成具有方向性的波束从而调控光信号进入平板波导中的入射角度，进而改变光信号的传播路径长度，最终通过相对应的光相控阵接收单元接收光信号得到不同的延时量。具体而言，本发明能够实现大的可调延时量，具有结构与控制简单、集成度高等优点，在光通信、微波光子和信号处理等方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN109459816B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811188615.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/12 , H04B10/50 , H04B10/516
Abstract: 一种硅基光学任意波形发生芯片，包括光学频率梳产生模块、滤波模块及幅度相位调节阵列模块，光学频率梳产生模块由可调微环谐振器构成，滤波模块由级联马赫曾德干涉器构成，幅度相位调节阵列模块由反馈型阵列波导光栅、可调光衰减器及移相器构成。本发明可实现光学频域内任意波形的发生，具有尺寸小、损耗低、稳定性高等特点，能在光通信网络及系统中发挥关键作用。
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公开(公告)号：CN110456527A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910629712.2
申请日：2019-07-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种用于产生超宽带脉冲信号的基于硅基微环耦合马赫曾德调制器，一个跑道型的微环谐振器通过一个马赫曾德耦合器与一个马赫曾德干涉器的一臂耦合，在该马赫曾德干涉器的另一臂上分别集成有一个热移相器和一个可调光衰减器，在所述的马赫曾德耦合器的两臂上分别集成第一微加热器和第二微加热器，所述的跑道型的微环谐振器上集成有一段PN结有源区，所述的PN结有源区与高速调制电信号源相连。本发明可以产生不同形状的UWB脉冲，原理简单，易于实现，在微波光子和信号处理领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110391591A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910686766.2
申请日：2019-07-29
Abstract: 一种集成波形可变脉冲源及操作方法，装置包括硅基基片和控制模块，在所述的硅基基片上制备可调激光器、第一连接波导、双平行强度调制器、输出波导、激光器电学接口、双平行强度调制器电学接口，沿所述的可调激光器的激光输出方向依次是所述的第一连接波导、双平行强度调制器和输出波导，所述的控制模块分别通过激光器电学接口与所述的可调激光器相连，通过双平行强度调制器电学接口与双平行强度调制器相连。本发明能产生三角波、方波、高斯脉冲、半余弦脉冲、平顶脉冲等多种时域脉冲，重复频率在1GHz-30GHz之间，具有中心波长可调、支持多波长工作、时间抖动低的特点。
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公开(公告)号：CN110233678A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910402785.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04B10/60
Abstract: 一种硅基集成微波光子前端接收处理芯片，包含马赫曾德强度调制器、交错梳状滤波器、相位调制器、可重构带通滤波器、光延迟线和平衡光电探测器。其中可重构带通滤波器由光开关、基于硅波导受激布里渊散射效应的高精细滤波器及微环耦合马赫曾德宽带滤波器构成。通过光开关选择，可以实现对不同频段高精细或宽带滤波。本发明可实现微波光子前端信号接收，包括跨波段、可调谐微波光子信号处理，微波光子宽带下变频，微波光子本振频率综合和相移控制，具有尺寸小、集成度高、功耗低、稳定性好等优点，能在微波光子前端信号处理中发挥关键作用，具有重要的实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109613512A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811484763.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于诺伦矩阵的N×M集成多波束激光雷达发射系统，由N路调频连续波(FMCW)发射阵列、N×S诺伦光学矩阵网络、S×M光学扩束网络、M路移相器阵列和M路激光雷达发射端构成。N路调频连续波发射阵列产生N路调频连续光信号。每一路光信号经过N×S诺伦矩阵网络和S×M光学扩束网络后，能量均分到M路输出端口，从不同端口输入产生的相位差不同。M路移相器阵列对M路光信号产生相位差连续可调的等差相位，最后通过M路激光雷达发射端发射最多N个不同的可调发射波束。本发明可以采用单片或者异质光子集成技术来实现，具有结构紧凑、控制简单、集成度高、可扩展性强等优点。
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公开(公告)号：CN106569350B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610941083.3
申请日：2016-10-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种基于Si‑VO2复合波导的电光调制器，其结构从下至上依次为硅衬底、二氧化硅下包层、脊形波导、二氧化硅上包层、金属电极层。其中脊形波导刻有狭槽，在凸条中填充有二氧化钒形成Si‑VO2复合波导，在两侧的平板中填充有二氧化硅用作绝缘。狭槽两侧的P型和N型轻掺杂区构成了PN结，金属电极与平板两侧重掺杂区相连。本发明的基本原理是利用二氧化钒在电场作用下发生相变引起折射率的变化，从而实现调制。该电光调制器结构简单、调制消光比高、插入损耗低，同时利用倾斜的二氧化钒狭槽结构可以增加作用长度同时有效减弱反射光强度，在光通信及集成光电子领域中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105388638B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510982481.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种硅波导热光调节结构，从下至上依次包括衬底、下包层、波导层、上包层和电极层，所述的下包层的材料为二氧化硅，波导层的材料为高折射率材料硅，上包层的材料为低折射率材料，所述的电极层由分立于两侧的金属电极和中间的金属栅极构成，所述的波导层为脊型波导，由中间的凸形内脊的轻掺杂区和两侧平板形外脊的重掺杂区构成波导热电阻结构，所述的重掺杂区通过所述的上包层的金属通孔与所述的金属电极相通。当控制电极上加载电压，波导内形成电场，使载流子浓度发生改变，调节硅波导层的电阻率。在恒定驱动电压下，电阻上的热功率发生变化，基于热光效应可以调节硅波导的有效折射率。
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公开(公告)号：CN106569350A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610941083.3
申请日：2016-10-26
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: G02F1/035 , G02F1/0305
Abstract: 本发明公开一种基于Si‑VO2复合波导的电光调制器，其结构从下至上依次为硅衬底、二氧化硅下包层、脊形波导、二氧化硅上包层、金属电极层。其中脊形波导刻有狭槽，在凸条中填充有二氧化钒形成Si‑VO2复合波导，在两侧的平板中填充有二氧化硅用作绝缘。狭槽两侧的P型和N型轻掺杂区构成了PN结，金属电极与平板两侧重掺杂区相连。本发明的基本原理是利用二氧化钒在电场作用下发生相变引起折射率的变化，从而实现调制。该电光调制器结构简单、调制消光比高、插入损耗低，同时利用倾斜的二氧化钒狭槽结构可以增加作用长度同时有效减弱反射光强度，在光通信及集成光电子领域中具有广泛的应用前景。
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