一种平面密集型薄膜热电偶传感器阵列

    公开(公告)号:CN116067517A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211508428.8

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种平面密集型薄膜热电偶传感器阵列,涉及热电偶和热流传感器技术领域。通过在叶片表面构筑共阳极薄膜热电偶阵列,可在有限的面积内布置热电偶,进而实现叶片正反面高精度的温度场测量。本发明具有更高的测量密度、更低的成本以及更少的接线,几乎对叶片不产生创伤。依靠布置在叶片正反表面的测温节点测试得到的温度差可以计算穿过叶片表面的热流,用于分析通过叶片表面的热量,以此实现热流传感器的功能,进而通过众多测温节点获得的热流参数来分析整个叶片内部的能量分布。本发明精度高、响应快速、可用于同时分析叶片表面温度场和内部热流场,对叶片表面温度及其内部热流评估具有重要意义。

    基于组合式码道涡流栅位移传感器的位移检测方法

    公开(公告)号:CN115855128A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211411350.8

    申请日:2022-11-11

    Abstract: 本发明属于绝对位移定位领域,基于组合式码道涡流栅位移传感器结构的新型位移检测算法。采用编码码道与测量码道相结合的测量方式,将编码码道位预编码分组,对不确定编码位采用进退位编码,保证了编码过程的确定性。测量码道位移校正,补偿编码码道位移,保证了输出总位移连续变化,不产生大范围跳变。输出位移经过4点滑动平均,减少安装和制造工艺带来的偏差,基本消除测量位移百分位的跳动。本算法在组合式码道涡流栅位移传感器的建模测试中达到了良好的效果,验证了算法的实用性。

    基于GA-SVM的游戏防沉迷判定系统及方法

    公开(公告)号:CN110302540B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201810995717.2

    申请日:2018-08-29

    Inventor: 曾敏 骆源

    Abstract: 本发明提供一种基于GA‑SVM的游戏防沉迷判定系统及方法,所述基于GA‑SVM的游戏防沉迷判定方法包括:检测已采集到的游戏数据中的异常值,并删除所述异常值;对删除异常值后的游戏数据进行缺失数据填补,形成完整用户游戏数据;将所述完整用户游戏数据输入预先构建的GA‑SVM分类模型,对用户游戏沉迷与否进行判定。本发明可以有效对游戏数据进行清洗,从而得到更加完整的游戏数据,有利于游戏数据信息提取,提高了游戏数据的利用率,本发明采用GA‑SVM分类模型进行用户沉迷游戏判定,GA‑SVM分类模型在实际分类中展现了较传统SVM方法更好的预测效果。

    一种花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法及其三乙胺气体传感器和用途

    公开(公告)号:CN110333271B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201910629475.X

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种花状三氧化钨多级纳米材料及其制备方法和用途。本发明还提供了基于该花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器,包括其制备方法及用途。其中,花状三氧化钨多级纳米材料由简单环保的声化学法制备,所得花状三氧化钨多级纳米材料可应用于三乙胺气体的高效检测。本发明基于花状三氧化钨多级纳米材料的三乙胺气体传感器,其具有优异的灵敏度、超快的响应速度、出色的选择性、可靠的长期稳定性和低的理论检测极限,表明这种基于新型花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器适用于高灵敏度地检测三乙胺气体,该花状三氧化钨多级纳米材料是检测三乙胺气体的潜在传感材料之一。

    一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN110568026A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910909551.2

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法,涉及气体传感材料制备技术领域,包括传感器及其制备方法;所述传感器为横向尺寸1~3μm和厚度1~5nm的纳米薄片状结构,包含钴元素、氧元素和镉元素,所述镉元素含量的原子比为1%~9%;将所述钴离子、所述镉离子、尿素和乙二醇在溶液中进行混合,通过微波水热反应得到氢氧化钴纳米薄片前驱体,然后将传感材料滴加到叉指电极上,通过高温退火将所述氢氧化钴纳米薄片前驱体转变为氧化钴纳米薄片,从而制备得到所述传感器。本发明公开的技术方案与现有技术相比,制备过程中使用的原料来源广泛,成本低,制备得到的传感器,室温条件下响应高,响应速度快,可重复性好。

    一种花状三氧化钨多级纳米材料、三乙胺气体传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN110333271A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910629475.X

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种花状三氧化钨多级纳米材料及其制备方法和用途。本发明还提供了基于该花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器,包括其制备方法及用途。其中,花状三氧化钨多级纳米材料由简单环保的声化学法制备,所得花状三氧化钨多级纳米材料可应用于三乙胺气体的高效检测。本发明基于花状三氧化钨多级纳米材料的三乙胺气体传感器,其具有优异的灵敏度、超快的响应速度、出色的选择性、可靠的长期稳定性和低的理论检测极限,表明这种基于新型花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器适用于高灵敏度地检测三乙胺气体,该花状三氧化钨多级纳米材料是检测三乙胺气体的潜在传感材料之一。

    一种带防护层的X射线平板探测器

    公开(公告)号:CN209708981U

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201920403675.9

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 本实用新型公开了一种带防护层的X射线平板探测器,包括像素矩阵以及外围电路。像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成,其中薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层,防护层优选钨金属薄膜。本实用新型的有益效果:本实用新型将电子器件优化为带有防护层的器件,有效地降低了高能X射线对器件的影响,减少了器件的噪声干扰,并且提高了器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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