公开(公告)号：CN111201609B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880053671.0

申请日：2018-03-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  N·乔杜里

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管包括：一组电极，诸如源极(110)、漏极(120)、顶栅极(130)和侧栅极(140，150)；并且包括具有在源极和漏极之间延伸的鳍的半导体结构。顶栅极布置在鳍的顶部上，并且侧栅极距顶栅极一定距离而布置在鳍的侧壁上。半导体结构包括位于顶栅极下方的覆盖层(101)和布置在覆盖层下方以用于提供导电性的沟道层(102)。覆盖层包括氮化物基半导体材料，以使异质结能够在源极和漏极之间形成载流子沟道。

公开(公告)号：CN111727507B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201880089353.X

申请日：2018-08-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  N·乔杜里

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括沟道半导体结构(160)，其包括层的堆叠体，该层的堆叠体按照层的材料的极化幅度的顺序布置在彼此顶部上，以在由堆叠体中各对层形成的异质结处形成多个载流子沟道。层的堆叠体包括第一层和第二层。第一层的极化幅度大于在堆叠体中布置在第一层下方的第二层的极化幅度，并且第一层的宽度小于第二层的宽度以形成沟道半导体结构的阶梯轮廓。HEMT包括包含重掺杂半导体材料的源极半导体结构(140)和包含重掺杂半导体材料的漏极半导体结构(150)。HEMT包括源极(110)、漏极(120)以及调制载流子沟道的导电率的栅极(130)。栅极具有阶梯形状，该阶梯形状具有跟踪沟道半导体结构的阶梯轮廓的踏面和竖直部。

公开(公告)号：CN111213244A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880053612.3

申请日：2018-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 张坤好 ,  N·乔杜里

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括半导体结构，该半导体结构包括形成异质结的覆盖层(101)和沟道层(102)，使得在覆盖层和沟道层的界面处形成二维电子气。HEMT还包括一组电极，该组电极包括沉积在覆盖层上的源极(110)、漏极(120)和栅极(130)。栅极沿着HEMT的长度布置在源极和漏极之间。覆盖层的至少在栅极下方的厚度沿着HEMT的宽度变化。