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公开(公告)号：CN101079442A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200610063663.3
申请日：2006-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/42316
Abstract: 提供一种在采用对增大最大漏极电流有效的掩埋栅极构造的同时提高耐压的高输出的场效应晶体管。该场效应晶体管至少具有：在半绝缘基片上用不含铝的3～5族化合物半导体形成的沟道层；在其上用搀杂浓度在1×1016cm－3以下的含铝带隙能大的3～5族化合物半导体形成的栅极接触层；在其上用搀杂浓度在1×1016cm－3以下的不含铝的3～5族化合物半导体形成的栅极掩埋层；和掩埋在该栅极掩埋层中与栅极接触层连接的栅极电极，在栅极掩埋层设有凹槽，包围栅极电极的侧壁，其厚度设为使栅极接触层不露出。
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