晶体管
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103367415A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310114440.5

    申请日:2013-04-03

    CPC classification number: H01L27/04 H01L29/73

    Abstract: 本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合,而与部分(2b)接合。

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