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公开(公告)号:CN103367415A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310114440.5
申请日:2013-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L23/34
Abstract: 本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合,而与部分(2b)接合。