公开(公告)号：CN107070439A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610946484.8

申请日：2016-11-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今井翔平 ,  山本和也 ,  佐佐木善伸 ,  三轮真一

IPC: H03K17/16 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。

公开(公告)号：CN104601124A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601783.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三轮真一 ,  佐藤邦宏

IPC: H03F1/56

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/56 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/267 ,  H03F2200/75 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通用性高的放大器。本发明涉及的放大器的特征在于，具有：晶体管芯片(30)；匹配用芯片(16)，其具有电容器组(24)，该电容器组(24)具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器；接合线(42)，其将该晶体管芯片(30)与该电容器组(24)的某1个该MIM电容器的该上部电极连接，且用于传输高频信号；以及壳体(12)，其收容该晶体管芯片(30)和该匹配用芯片(16)，多个该MIM电容器的该下部电极接地，该电容器组(24)的该MIM电容器的电容值彼此不同。