带保护功能的充电控制装置和电池组

    公开(公告)号:CN103227484B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201310030369.2

    申请日:2013-01-25

    CPC classification number: H02J7/0029 H02J7/045 H02J2007/0037 H02J2007/004

    Abstract: 本发明提供一种带保护功能的充电控制装置和电池组,能延迟从恒流充电向恒压充电的切换定时,能缩短之后的恒压充电期间,缩短总的充电所需时间。充电控制装置具有:控制充电用晶体管的充电控制电路;保护电路,在二次电池成为了过放电状态的时候,使第一控制用开关元件截止从而不流过放电电流,在二次电池成为了过充电状态的时候,使第二控制用开关元件截止从而不流入充电电流,充电控制电路具有如下功能:在二次电池侧的电压达到预定值前控制成通过充电用晶体管控制成流过恒定的充电电流,在二次电池侧的电压达到了预定值后切换到在恒压下流过充电电流的控制,二次电池的正极侧的端子电压和负极侧的端子电压作为监视电压被供给到充电控制电路。

    带保护功能的充电控制装置和电池组

    公开(公告)号:CN103227484A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310030369.2

    申请日:2013-01-25

    CPC classification number: H02J7/0029 H02J7/045 H02J2007/0037 H02J2007/004

    Abstract: 本发明提供一种带保护功能的充电控制装置和电池组,能延迟从恒流充电向恒压充电的切换定时,能缩短之后的恒压充电期间,缩短总的充电所需时间。充电控制装置具有:控制充电用晶体管的充电控制电路;保护电路,在二次电池成为了过放电状态的时候,使第一控制用开关元件截止从而不流过放电电流,在二次电池成为了过充电状态的时候,使第二控制用开关元件截止从而不流入充电电流,充电控制电路具有如下功能:在二次电池侧的电压达到预定值前控制成通过充电用晶体管控制成流过恒定的充电电流,在二次电池侧的电压达到了预定值后切换到在恒压下流过充电电流的控制,二次电池的正极侧的端子电压和负极侧的端子电压作为监视电压被供给到充电控制电路。

    充电电路
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103248088A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310050892.1

    申请日:2013-02-08

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种充电电路,既能够确保安全性又能够对二次电充充分进行充电。该充电电路与二次电池连接,用于进行所述二次电池的充电,所述充电电路具备:电流限制电路,其用于限制从输入端子输入的电流;第一晶体管,其连接在所述电流限制电路的输出与所述二次电池之间;充电控制电路,其用于控制所述第一晶体管的导通和截止,从而控制对所述二次电池的充电电流的供给和切断;第二晶体管,其输出与流过所述第一晶体管的所述充电电流相应的电流;以及充电定时器,其用于生成与从所述第二晶体管输出的电流相应的时钟,所述充电控制电路在从所述充电定时器输出的所述时钟的数量达到了预定数量时停止所述二次电池的充电。

    带保护功能的充电控制装置和电池组

    公开(公告)号:CN103227482A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310028363.1

    申请日:2013-01-24

    CPC classification number: H02J7/0031 H02J7/0042 H02J2007/004

    Abstract: 本发明提供一种带保护功能的充电控制装置和电池组。充电控制装置具有:充电控制电路,其控制成在检测到连接有充电用电源时使充电用晶体管流过充电电流;第一和第二控制用开关元件,其以串联形态连接在二次电池的一个端子与外部端子之间;保护电路,在二次电池成为过放电状态时,使第一控制用开关元件截止从而不流过放电电流,在成为深放电状态时,使第二控制用开关元件截止,保护电路在二次电池成为了深放电状态时将充电禁止信号发送到充电控制电路,充电控制电路在收到了充电禁止信号的期间内即使检测到连接有充电用电源也使充电用晶体管处于截止状态从而不流过充电电流。

    电流反馈电路
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1512663A

    公开(公告)日:2004-07-14

    申请号:CN200310123418.3

    申请日:2003-12-26

    CPC classification number: H03F3/45475 H03F3/68

    Abstract: 本发明涉及一种电流反馈电路。其在误差信号放大器使用反馈放大器以外结构的运算放大器,调整输入信号的相位特征,可以满足广域的指定频带,并且在开环频率特性中具有充分的相位富裕,可以防止振荡。把整个电路的输出电流转换为电压由输出电流电压转换单元(34)输出反馈信号、误差信号放大器(32)按此反馈信号放大整个电路的输入信号,此误差信号放大器(32)具备有具有传送电导gm的电压控制·电流输出型的运算放大器(6),使放大的输入信号作为电流输出。该运算放大器(6)具有恒流电源并且具有与传送电导gm相应的差动放大电路的特性。因此,与运算放大器(6)对应的相位调整电路由在运算放大器(6)的输出端子和接地电位之间串联连接的电阻(R31)和电容器(C31)构成。

    充电控制装置、充电系统以及充电控制方法

    公开(公告)号:CN110138024B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201910060350.X

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明提供一种充电控制装置、充电系统以及充电控制方法。充电控制装置利用外部电源的电流限制功能对二次电池的充电进行控制,其具有:充电控制元件,其被配置为串联连接在上述外部电源与上述二次电池之间;恒流控制部,其将上述充电控制元件的输出电流控制为恒定;恒压控制部,其将上述充电控制元件的输出电压控制为恒定;以及接通状态设定部,其将上述充电控制元件设定为接通状态,上述充电控制元件具有用于输入对上述输出电流以及上述输出电压进行控制的控制信号的控制端子,并且由单一的输出元件构成。

    充电电路
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103248088B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201310050892.1

    申请日:2013-02-08

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种充电电路,既能够确保安全性又能够对二次电充充分进行充电。该充电电路与二次电池连接,用于进行所述二次电池的充电,所述充电电路具备:电流限制电路,其用于限制从输入端子输入的电流;第一晶体管,其连接在所述电流限制电路的输出与所述二次电池之间;充电控制电路,其用于控制所述第一晶体管的导通和截止,从而控制对所述二次电池的充电电流的供给和切断;第二晶体管,其输出与流过所述第一晶体管的所述充电电流相应的电流;以及充电定时器,其用于生成与从所述第二晶体管输出的电流相应的时钟,所述充电控制电路在从所述充电定时器输出的所述时钟的数量达到了预定数量时停止所述二次电池的充电。

    充电控制用半导体集成电路以及充电装置

    公开(公告)号:CN101588082B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN200910203501.9

    申请日:2009-05-19

    CPC classification number: H02J7/00

    Abstract: 本发明涉及充电控制用半导体集成电路以及充电装置,用于在充电控制用IC中,防止在达到满充电状态前停止充电、或者在输入电压下降时从二次电池侧向IC的内部电路持续供给电流而使电池放电。充电控制用半导体集成电路具备:连接在电压输入端子和输出端子之间的电流控制用MOS晶体管(Q1)、对Q1的基体施加输入电压或输出电压的基体电压切换电路(M1、M2)、比较输入电压和输出电压的电压比较电路(12)。根据电压比较电路的输出来控制基体电压切换电路,其中,电压比较电路在第1电位方向上具有故意的偏移量,并且在电压比较电路的第1输入端子的前级设置有电平移位电路(19),其将输出电压向与第1电位方向相反的电位方向移位。

    充电控制用半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101599655B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200910145475.9

    申请日:2009-06-05

    CPC classification number: H02J7/0052 G01R19/16519 H03K17/0822

    Abstract: 本发明提供一种充电控制用半导体集成电路。通过电流反射镜方式来检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中,即使晶体管的尺寸比波动,也能够提高电流检测精度。在电流反射镜方式的电流检测电路(13)中,设置偏置状态控制用晶体管(Q3)、将电流控制用晶体管(Q1)以及电流检测用晶体管的漏极电压作为输入的运算放大电路(AMP1),根据该运算放大电路的输出,电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与电流控制用晶体管的偏置状态相同,并且调整电流检测用晶体管的漏极布线的长度,以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各漏极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。

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