公开(公告)号：CN102695987A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102695770A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060217.1

申请日：2010-12-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  申峻乎 ,  郑斗瑛 ,  车承桓 ,  安炫贞 ,  崔荣恩

IPC: C09K3/10 ,  C08L83/04 ,  C08G77/04

CPC classification number: C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/80

Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物，包括通过将由化学式1表示的第一硅化合物和包含由化学式2表示的化合物的第二硅化合物共聚而获得的聚硅氧烷。还提供了包含通过将所述透光树脂组合物硬化而获得的封装材料的电子装置。

公开(公告)号：CN102432841A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110306447.8

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  邢敬熙 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/02 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 提供了萘主链聚合物和含有该萘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式B表示的萘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。

公开(公告)号：CN101238413B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101770175A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215519.0

申请日：2009-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  禹昌秀 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。

公开(公告)号：CN101452208B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200810185741.6

申请日：2008-12-08

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  金宰贤 ,  李昌珉 ,  郑义俊 ,  韩权愚 ,  权五范 ,  崔定植 ,  金钟涉 ,  张斗远 ,  赵贞贤 ,  郑瑟永

IPC: G03F7/028 ,  H01L21/82 ,  H01L27/146

CPC classification number: G03F7/033

Abstract: 本发明提供了一种用于垫片保护层的光敏树脂组合物以及利用该光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。该组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)活性不饱和化合物、(C)光引发剂以及(D)溶剂。(A)碱溶性树脂包括这样的共聚物，该共聚物包括5至50wt％的具有以下化学式1的构成单元、1至25wt％的具有以下化学式2的构成单元以及45至90wt％的具有以下化学式3的构成单元，并且提供了一种利用光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。在下述化学式中，R11至R13、R21至R24以及R31至R33与在具体实施方式中所定义的相同。用于垫片保护层的光敏树脂组合物具有良好的图案化和蚀刻性能以及耐化学性，因此可以提供没有下部外敷层的图像传感器，。

公开(公告)号：CN102695987B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102819192B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210272558.6

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉 ,  郑仁善

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1] [R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3] [R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4] [R8]3Si-R9[化学式5] [R10]3Si-X-Si[R10]3。

公开(公告)号：CN101910947B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880124489.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。

公开(公告)号：CN101506941B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680055586.5

申请日：2006-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  金到贤

IPC: G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

Abstract: 一种处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，包含溶剂和有机硅聚合物，其中有机硅聚合物由结构式6表示：在结构式6中，R是甲基或乙基，R′是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是含芳环官能团，x、y和z满足关系式x+y＝4，0.4≤x≤4，0≤y≤3.6，和4×10-4≤z≤1，而n为约3至约500。