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公开(公告)号：CN100399431C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410078690.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/00718 , G11B7/1263 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明提供一种在光记录介质上记录和再现数据的方法，该光记录介质具有多个数据记录/再现表面，其中通过使用具有比光强度Pr大且增加4—20%的强度的光，在比所选记录/再现表面远离光源的下一个记录/再现表面上记录或再现数据，所述光强度Pr是在不包括最靠近光源的多个数据记录/再现表面的记录/再现表面中选择的一个记录/再现表面上记录或再现数据时使用的光强度。
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公开(公告)号：CN100351922C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580000173.2
申请日：2005-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/1267
Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域，使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括：将光束发射到SRISM上，同时改变激光光束的再现功率，接收被SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号电平的变化；基于再现信号电平的变化，计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率；和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器，其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上，光电检测器接收从SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号；该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化，并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。
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公开(公告)号：CN1886789A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035523.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24065 , Y10T428/21 , Y10T428/24802
Abstract: 一种超分辨率信息存储介质，包括：基底；第一超分辨率层，形成在基底之上；第二超分辨率层，形成在第一超分辨率层之上；和插入层，设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。
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公开(公告)号：CN1591599A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410078690.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/00718 , G11B7/1263 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种在光记录介质上记录和再现数据的方法，该光记录介质具有多个数据记录/再现表面，其中通过使用具有比光强度Pr大且增加4－20％的强度的光，在比所选记录/再现表面远离光源的下一个记录/再现表面上记录或再现数据，所述光强度Pr是在不包括最靠近光源的多个数据记录/再现表面的记录/再现表面中选择的一个记录/再现表面上记录或再现数据时使用的光强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115399525A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211005881.7
申请日：2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A41D1/00 , A41D15/00 , A41D27/08 , A41D31/00 , D01D5/30 , D01F8/00 , D03D1/00 , D03D15/54 , D03D15/547 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1334 , G02F1/1343 , G02F1/155 , G02F1/167 , G02F1/16757 , G02F1/1676 , G06F3/0482 , G06F3/04842 , G06Q30/06 , G06Q50/04 , G09G5/00 , H01L51/52 , H04L67/12 , H04N5/44
Abstract: 公开的实施例提供了一种智能服装，在其上实现的设计可以被改变颜色、图案、文本等。该智能服装包括：第一材料，包括第一电极和第二电极；第二材料，包括第三电极和第四电极；以及连接模块，包括：第一接地端子，被配置为响应于用户终端发送的信号将第一电极和第二电极之一接地，第一信号端子，向第一电极和第二电极中的另一个施加电压，第二接地端子，被配置为将第三电极和第四电极之一接地，以及第二信号端子，向第三电极和第四电极中的另一个施加电压。
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公开(公告)号：CN102483945A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080040323.3
申请日：2010-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B20/1217 , G11B20/1833 , G11B2020/1222 , G11B2020/1289 , G11B2220/235 , H03M13/2906 , H03M13/2954
Abstract: 一种对信息编码的方法和对信息解码的方法，一种用于执行以上一种方法或两种方法的设备和其上存储了所述信息的信息存储介质，对信息编码的方法包括在两次ECC编码操作之间对数据加密，对信息解码的方法包括在两次ECC解码操作之间对数据解密。
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公开(公告)号：CN102422356A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021369.0
申请日：2010-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1826 , G11B2220/20 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种信息存储介质包括：用户数据区，用于记录用户数据；备用区，包括备用块，每个备用块用于替换在用户数据区中出现的缺陷块；缺陷管理区，在该缺陷管理区中记录关于在用户数据区中出现的缺陷块的信息，其中，所述备用区的备用块包括：可用备用块，按使用顺序在所述可用备用块的前部存在替换块；和可用备用块，按使用顺序在所述可用备用块的前部不存在替换块；其中，备用区的下一可用位置指针被记录在缺陷管理区中，所述备用区的下一可用位置指针表示按使用顺序在可用备用块的前部不存在替换块的所述可用备用块中的第一可用备用块。
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公开(公告)号：CN102318005A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007757.3
申请日：2010-02-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B2007/0013
Abstract: 提供了一种信息记录介质，所述信息记录介质包括多个记录层。每个记录层可包括至少一个光功率控制(OPC)区域，并且以不与给定半径中的相邻层的OPC区域重叠的方式分配每一OPC区域。
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