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公开(公告)号：CN1551163B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200410044636.2
申请日：2000-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24085 , B82Y10/00 , G11B7/0052 , G11B7/24
Abstract: 在一种包括一具有凸起和凹坑并/或能够形成记录标记的信息支承表面的光学信息介质中，一个功能层被加入.使用波长大于4NA·PL的读取光可以读出在所述信息支承表面上记载的信息，其中PL是所述凸起和凹坑或记录标记的最小尺寸，NA是读取光学系统的数值孔径，将读取光的功率设置在功能层不会改变其复数折射率的范围内，将读取光辐射到由功能层构成的信息支承表面，或者通过功能层辐射到达信息支承表面，或者通过信息支承表面辐射到达功能层，此介质能以超出衍射极限的高分辨率来读出。
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公开(公告)号：CN100373484C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480018848.1
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24065 , G11B7/258 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括支撑基板(11)、透光层(12)、和插入到所述透光层(12)和所述支撑基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。所述支撑基板(11)的厚度为0.6mm到2.0mm；所述透光层(12)的厚度为10μm到200μm；所述贵金属氧化物层(23)的厚度为2nm到50nm；所述第二电介质层(32)的厚度为5nm到100nm；所述光吸收层(22)的厚度为5nm到100nm；并且所述第三电介质层(33)的厚度为10nm到140nm。因此，在采用针对下一代光学记录介质的光学系统进行超解析记录和再现时可获得优良的特性。
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公开(公告)号：CN100358031C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200480018577.X
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，第三介电层(3)，光吸收层(4)，第二介电层(5)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(6)，第一介电层(7)，和光透射层(8)，其中第二介电层具有20nm至100nm的厚度，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(8)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(6)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，因此通过由此产生的氧气在分解反应层(6)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(6)中形成了记录标志。
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公开(公告)号：CN1846254A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025272.1
申请日：2004-09-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00452 , G11B7/0901 , G11B7/24065
Abstract: 根据本发明的一种光学记录介质(10)，包括：其上形成有凹槽(11a)的支撑基板(11)、透光层(12)，在支撑基板(11)与透光层(12)之间设置的贵金属氧化物层(23)，其中，凹槽(11a)的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是透光层(12)对波长为λ的光的折射率。因此，通过将激光束照射在贵金属氧化物层(23)上，在进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其是有足够幅值的推挽信号。此外，因为凹槽的深度设定为60nm或更小，在生产用于制造基板的模片时不会出现较大的困难。
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公开(公告)号：CN1816455A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018578.4
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , B82Y10/00 , G11B7/2403 , G11B7/24065 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，反射层(3)，第三介电层(4)，光吸收层(5)，第二介电层(6)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(7)，第一介电层(8)，和光透射层(9)，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(9)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(7)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，使得通过由此产生的氧气在分解反应层(7)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(7)中形成了记录标志。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119882285A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411449835.5
申请日：2024-10-17
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供电光元件和光学调制元件。一种电光元件，其具有：单晶基板、由在前述单晶基板的主面上接触而形成的电介质薄膜形成的光波导(10)、以及对光波导(10)施加电压的电极，电介质薄膜由铌酸锂膜形成，所述铌酸锂膜为c轴取向的外延膜，所述电介质薄膜的LiNb3O8与LiNbO3的X射线强度比(LiNb3O8(60‑2)/LiNbO3(006))为0.02以上。
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公开(公告)号：CN119335767A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410949818.1
申请日：2024-07-16
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的技术问题在于，提供一种能够形成不易在铌酸锂膜产生裂纹、能够应用于从可见光到红外光的广泛的光、光损耗少的光波导元件和光调制元件的带电介质薄膜的基板。本发明的带电介质薄膜的基板(1)具有：单晶基板(2)、应力缓和层(31)、和电介质薄膜(3)，应力缓和层(31)由c轴取向的外延膜构成，并且包括：LiNbO3的双晶结构，其包含第一晶体(3a)、以c轴为中心地所述第一晶体3a旋转180°而得到的第二晶体(3b)；以及LiNb3O8相，电介质薄膜(3)由作为c轴取向的外延膜的铌酸锂膜构成，并且具有LiNbO3的双晶结构，膜厚为0.5μm～2μm，最大域宽度大于应力缓和层(31)的最大域宽度，应力缓和层(31)的膜厚相对于电介质薄膜(3)的膜厚的比例为5％～25％。
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公开(公告)号：CN116134373A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180058357.3
申请日：2021-07-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/05
Abstract: 可见光调制元件(1000)具备：光源部(100)，其具有出射波长400nm至700nm的可见光波长的光的多个光半导体元件(30－1)、(30－2)、(30－3)；光调制输出部(200)，其相对于三个光半导体元件(30－1)、(30－2)、(30－3)的各个，具有三个马赫曾德尔型光波导(10－1)、(10－2)、(10－3)，该马赫曾德尔型光波导通过铌酸锂膜被加工成凸型而成，且入射从光半导体元件(30－1)、(30－2)、(30－3)出射的光。
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公开(公告)号：CN114967186A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210162075.4
申请日：2022-02-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供能够将施加的直流偏置电压抑制得较低的光调制元件(100)。其包括：由非铌酸锂的材料构成的基片；在基片上构成马赫‑曾德尔型光波导路径(10)，具有连结分支部(15)与结合部(16)的第1光波导路径(11)、第2光波导路径(12)的铌酸锂膜；和对第1光波导路径(11)、第2光波导路径(12)分别施加电场的第1电极(25)、第2电极(26)，第1脊部(11)和第2脊部(12)具有与长度方向正交的截面形状定形部，第1脊部、第2脊部的至少一个具有与截面形状定形部不同的截面形状非定形部，向第1电极与第2电极之间施加的直流偏置电压为0(V)时的光输出比使直流偏置电压在规定的范围变化时的光输出的最大值小。
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公开(公告)号：CN108885192A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020067.3
申请日：2017-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01N27/72 , G01N33/543
CPC classification number: G01N27/72 , G01N33/543
Abstract: 生物传感器包括：基板，其具有形成有第一区域和与上述第一区域邻接配设的第二区域的面；磁阻效应元件，其至少配置于上述第一区域上，检测出的电阻值对应于所输入的磁场而发生变化；保护膜，其配置于上述第一区域上和上述第二区域上的两个区域上，覆盖上述磁阻效应元件的表面，并且在上述第一区域上配置于最上部，仅在上述第一区域上在外表面具有识别上述生物体分子的亲和性物质；防吸附膜，其至少在上述第二区域上配置于其最上部，实质上不具有上述亲和性物质，上述保护膜和上述防吸附膜由彼此不同的材料构成。
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