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公开(公告)号:CN103227362A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201310011425.8
申请日:2013-01-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
IPC: H01Q1/38
CPC classification number: H01Q13/106 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q5/371 , H01Q5/50 , H01Q13/16 , H01Q13/18
Abstract: 本发明提供一种具有宽频带和高辐射效率的天线。所述天线包括第一导体和设置在所述第一导体之下的电介质基板。所述天线还包括:狭缝部分,形成在所述第一导体中,并在所述电介质基板上;空腔,形成在所述电介质基板中,并与所述狭缝部分对应。
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公开(公告)号:CN109425860B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN201810256727.4
申请日:2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S13/931 , G01S7/41
Abstract: 一种由包括在车辆中的装置执行的用来使用雷达检测对象的方法包括:在用于检测对象的操作时段中的正常模式时段中,传播基于包括至少两个码的默认码序列生成的正常模式发送信号;在所述正常模式时段中接收正常模式接收信号;在所述正常模式时段中基于所述默认码序列和所述正常模式接收信号检测对象;在所述操作时段中的监听模式时段中接收监听模式接收信号;获取所述监听模式接收信号和所述默认码序列之间的相关性;以及基于所述相关性改变所述默认码序列。
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公开(公告)号:CN103227362B
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201310011425.8
申请日:2013-01-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
IPC: H01Q1/38
CPC classification number: H01Q13/106 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q5/371 , H01Q5/50 , H01Q13/16 , H01Q13/18
Abstract: 本发明提供一种具有宽频带和高辐射效率的天线。所述天线包括第一导体和设置在所述第一导体之下的电介质基板。所述天线还包括:狭缝部分,形成在所述第一导体中,并在所述电介质基板上;空腔,形成在所述电介质基板中,并与所述狭缝部分对应。
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公开(公告)号:CN104659479A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201410360050.0
申请日:2014-07-25
CPC classification number: H01Q9/0421 , H01Q9/045
Abstract: 本发明提供一种包括过孔的背腔式结构中的微带贴片天线。一种微带贴片天线包括含有过孔的过孔焊盘、设置在过孔焊盘上的贴片、设置在贴片的一侧并穿过贴片和过孔焊盘的馈电过孔、以及设置在贴片的一侧并被构造为连接贴片和接地单元的短路过孔。
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公开(公告)号:CN101335522A
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200810107801.2
申请日:2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03D13/003 , H03L7/091
Abstract: 提供一种数字频率检测器和使用该数字频率检测器的数字锁相环(PLL)。所述数字频率检测器包括:第一转换单元,使用在第一频率的高电平时间段操作的第一环形振荡器将第一频率输出为数字式的第一频率信息;第二转换单元使用在第二频率的高电平时间段操作的第二环形振荡器将第二频率输出为数字式的第二频率信息;运算单元,通过计算第一频率信息与第二频率信息的比率来输出第一频率的数字频率。
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公开(公告)号:CN119482989A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202410845257.0
申请日:2024-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于阻抗匹配的电子装置及其运行方法。所述电子装置包括:匹配电路,其根据多个开关的连接状态具有不同的匹配阻抗值,并且被配置为通过对输入电力信号进行阻抗匹配来输出匹配电力信号;电力转换电路,其被配置为将匹配电力信号转换为输出电力信号;以及控制器,其被配置为通过向多个开关发送用于调整多个开关的连接状态的开关信号来设置匹配电路的匹配阻抗值,其中,控制器还被配置为:从电力转换电路接收输出电力信号,同时改变匹配阻抗值;基于接收到的多个输出电力信号来选择最佳匹配阻抗值;并且将最佳匹配阻抗值设置为匹配阻抗值。
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公开(公告)号:CN1801603A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200510133994.5
申请日:2005-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有提高了的效率的小尺寸片上互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器。该片上CMOS功率放大器能够通过提高K因子来提高效率并使其输出最大化,提高K因子在具有分布式有源变换器结构的功率放大器中可能会导致问题。该具有提高了的效率并被以小尺寸制造的片上CMOS功率放大器包括:主线圈,位于第一层;次线圈,位于第二层,第二层是第一层的上面的部分,次线圈对应于主线圈的位置放置;交叉部分,用于使次线圈彼此耦合。
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