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公开(公告)号：CN114381267A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111208411.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点、其制造方法、以及包括其的量子点复合物、显示器件和电子器件。所述量子点不含镉。所述量子点包括锌、碲、和硒，并且包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；和半导体纳米晶体壳，其设置在所述芯上并且包括锌硫属化物，其中所述量子点进一步包括镁并且在所述量子点中Te:Se的摩尔比大于或等于约0.1:1。
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公开(公告)号：CN111826161A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010310970.7
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K9/10 , C08K3/30 , C08L101/08 , H01L51/50
Abstract: 一种核-壳量子点、量子点、量子点聚合物复合物、显示装置和量子点制造方法，该核-壳量子点包括锌、包含第一半导体纳米晶体材料的核、以及设置在核上的半导体纳米晶体壳，其中该核-壳量子点不包括镉，并且包括锌、碲、硒和铝。
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公开(公告)号：CN112680210B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011108907.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , H10H20/851
Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114381268A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111208677.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物。无镉量子点或其群或包括其的器件，其中所述无镉量子点包括如下并且呈现出约60％或更高的量子效率：芯(或半导体纳米晶体颗粒)，其包括第一半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物；和设置在所述芯(或所述半导体纳米晶体颗粒)上的壳(或包覆层)，其包括IIB‑V族化合物。
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公开(公告)号：CN114381254A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111208394.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点复合物、其制备方法、包括其的显示器件和电子器件、和量子点。量子点复合物，其包括基体；和分散在所述基体中的多个量子点和氧化钛颗粒，其中所述量子点包括锌、碲、和硒，所述量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，和在所述量子点复合物中，碲相对于钛的重量比大于或等于约1.5:1且小于或等于约10:1。
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公开(公告)号：CN112680211A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109701.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。
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公开(公告)号：CN112680210A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011108907.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。
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公开(公告)号：CN110028968A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910026869.6
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开不含镉的量子点、包括其的量子点-聚合物复合物、和显示装置，所述不含镉的量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉并且包括铟和锌，所述量子点具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于约40nm，所述量子点的紫外-可见吸收光谱在约450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，并且通过以下方程定义的谷深度(VD)大于或等于约0.2：(Abs第一-Abs谷)/Abs第一＝VD，其中，Abs第一为在第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。所述显示装置包括所述量子点-聚合物复合物。
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