公开(公告)号：CN116490820A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180073414.5

申请日：2021-10-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩情 ,  徐正弼 ,  金成浩 ,  郑承俊 ,  高秀弘 ,  金法命

IPC: G02F1/1362

Abstract: 一种显示装置包括：第一基板，以矩形形状形成，包括上端、左端、右端和下端，并且包括延伸到下端的多个布线焊盘；显示层，设置在第一基板的前表面上；第二基板，设置在显示层的前表面上，包括与第一基板的上端、左端和右端相对应的上端、左端和右端以及比第一基板的下端更短的下端，并且被安装为使得第一基板的多个布线焊盘暴露；多个侧布线焊盘，设置在第一基板的下端和第二基板的下端上并且连接到多个布线焊盘；以及显示驱动电路，连接到多个侧布线焊盘。

公开(公告)号：CN100367506C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410043024.1

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  李来寅 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金相秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元阵列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。

公开(公告)号：CN1326245C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200410001272.X

申请日：2004-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  李来寅 ,  金相秀 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金成浩 ,  高光旭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明公开了一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。

公开(公告)号：CN113204140A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110150388.3

申请日：2021-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  朴赞洪 ,  尹正贤 ,  张熇栽 ,  崔城豪

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1333

Abstract: 一种显示装置，包括：显示面板，被配置为显示图像；光源模块，设置在显示面板的后表面之后并且被配置为向显示面板发射光，光源模块包括玻璃基板和设置在玻璃基板的后表面之后的光源；以及后框架，覆盖显示面板和光源模块，其中，光源设置在玻璃基板与后框架之间。

公开(公告)号：CN108089697A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711097502.0

申请日：2017-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐润宰 ,  金成浩 ,  金俊奭 ,  柳贤锡

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/147 ,  G06F1/32

CPC classification number: G06F3/0304 ,  G06F3/017 ,  H04N5/3698 ,  G06F3/011 ,  G06F1/3265 ,  G06F3/147

Abstract: 提供了包括电力控制电路的基于事件的传感器。所述基于事件的传感器包括：像素阵列，具有多个像素，并且被配置为响应于感测像素阵列的输入来输出激活信号；控制器，被配置为基于激活信号或用户输入来输出用于选择性地向像素供电的控制信号，使得像素中的部分像素通电，同时像素中的其它像素断电。

公开(公告)号：CN1531095A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410001272.X

申请日：2004-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  李来寅 ,  金相秀 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金成浩 ,  高光旭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明公开了一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物－氮化物－氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。