公开(公告)号：CN100438039C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610009420.1

申请日：2006-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹盛纯 ,  金建秀 ,  崔定赫 ,  赵相渊

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 在实施例中，存储器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底。包括位线接触插塞、公共源线、外围栅互连接触插塞、以及外围金属互连接触插塞的插塞由通过相同工艺的导电层构成。同样，包括直接连接到插塞的位线、单元金属互连、外围栅互连和外围金属互连的金属互连通过相同工艺的金属层构成。因此，简化了包括插塞和金属互连的互连结构，并因此简化了它们的形成过程。