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公开(公告)号：CN119842402A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411449104.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , H01L21/768
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的膜的方法和通过使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物可包括氧化剂、缓冲剂和选择性蚀刻抑制剂。所述选择性蚀刻抑制剂可包括由式1表示的第一化合物和不同于所述第一化合物的第二化合物。所述第二化合物可包括环。所述环可为吡唑基团、咪唑基团、三唑基团或四唑基团，或者所述环可为各自与苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、或其任意组合稠合的吡唑基团、咪唑基团或三唑基团。式1的描述提供于本说明书中。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117164640A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310651379.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。由式1表示的有机金属化合物，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2，其中，X1‑X4各自为C或N，环CY1和环CY2各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，环CY3为6元杂环基团、与C5‑C30碳环基团稠合的6元杂环基团、或与C1‑C30杂环基团稠合的S、Se6元杂环基团、C(R6)(R7)、，或环N(RCY418)为，＊5和元碳环基团或＊′各自表示与5元杂环基团M1的结合位点，Y，1为并且O、式1A和1B的剩余描述如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2
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公开(公告)号：CN116669452A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310183168.X
申请日：2023-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/11 , H10K50/15 , H10K85/60 , H10K101/40
Abstract: 提供发光器件和包括所述发光器件的电子装置，所述发光器件包括：第一电极；第二电极；布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层；以及布置在所述第一电极和所述发射层之间的缓冲层，其中所述缓冲层与所述发射层直接接触，所述发射层包括由式1表示的第一化合物，并且所述缓冲层包括由式5表示的第二化合物。所述第一化合物和所述第二化合物分别与本说明书中描述的那些相同。
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公开(公告)号：CN118685773A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410334456.5
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 蚀刻组合物可包括氧化剂、铵盐、水性溶剂和促进剂，所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，所述促进剂包括第一促进剂和第二促进剂，所述第一促进剂和所述第二促进剂彼此不同，并且所述第一促进剂和所述第二促进剂各自包括由下式A表示的基团、由下式B表示的基团和由下式C表示的基团的至少一个，其中Y1、T1、T1a和A1如本说明书中所定义的。可使用该蚀刻组合物进行蚀刻含金属的膜的方法，并且可使用该蚀刻组合物进行制造半导体器件的方法。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118284092A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311828233.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K85/60 , H10K85/30 , H10K101/25 , H10K101/00
Abstract: 发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，所述中间层包括发射层，所述发射层包括m1种主体、敏化剂、和荧光发射体，其中m1为1或更大的整数，和当m1为2或更大时，两种或更多种主体彼此不同，并且所述m1种主体、所述敏化剂、和所述荧光发射体彼此不同，并且满足表达式1。表达式1与本说明书中描述的相同。表达式10德拜≤|PDM(S)‑PDM(H)|≤3德拜。
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公开(公告)号：CN117479566A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310943274.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K85/30 , H10K101/30 , H10K101/00 , H10K101/40
Abstract: 公开组合物、包括其的发光器件、和包括所述发光器件的电子设备。所述组合物包括m1种掺杂剂；和m2种主体，其中m1和m2各自为1或更大的整数，当m1为2或更大时，两种或更多种掺杂剂彼此不同，当m2为2或更大时，两种或更多种主体彼此不同，并且所述组合物具有由如本文中定义的(X,Y)表示的改进图像的坐标。
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公开(公告)号：CN117479565A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310937852.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K101/40
Abstract: 公开发光器件和包括所述发光器件的电子设备。所述发光器件包括第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层，其中所述发射层包括m1种掺杂剂和m2种主体，并且m1和m2各自为1或更大，当m1为2或更大时，则两种或更多种掺杂剂彼此不同，当m2为2或更大时，则两种或更多种主体彼此不同，并且所述发光器件满足条件1，其中条件1可通过参照本文中提供的描述而理解。条件10德拜·V≤DMEML×(Vop‑Vinj)≤3.41德拜·V。
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公开(公告)号：CN116120375A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211431473.8
申请日：2022-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括其的发光器件和包括发光器件的电子设备。由式1表示的有机金属化合物，其中Y1‑Y4各自独立地为C或N，Y1‑Y4之一为键合至式1中的铱的N，并且Y1‑Y4的另一个为键合至式1中的环CY2的C，Y9为O、S、N(R19)、C(R19a)(R19b)、或Si(R19a)(R19b)，X2为C，环CY1和环CY2各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，a1和a2各自独立地为0‑20的整数，并且R1、R19、R19a、R19b、R2、R30a、R30b和R37各自如本文中所描述的。式1
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公开(公告)号：CN116003475A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211293559.9
申请日：2022-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括该有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，Ln1为由式1A表示的配体，Ln2为由式1B表示的配体，n1为1或2，且n2为1或2，其中环CY1和环CY2各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，环CY41为苯基团，环CY42为5元芳族杂环基团，X1为C或N，X2为C或N，Y1为O、S、Se、C(R3)(R4)、N(R3)或B(R3)，并且R1‑R4、R10、R20、R31‑R34、R40、b10、b20和b40如本文中所描述的。式1M1(Ln1)n1(Ln2)n2
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