公开(公告)号：CN107845638A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710770958.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹状根 ,  金善煐 ,  赵厚成

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11573

Abstract: 存储器件包括：一对公共源极线，彼此间隔开地设置在衬底上，并沿第一方向延伸；多个接地选择线，设置在所述一对公共源极线之间，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上；多个字线，设置在所述一对公共源极线之间所述多个接地选择线上，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上，所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接；和多个第一分离绝缘图案，设置在所述多个接地选择线的部分的各个接地选择线之间，并且沿第一方向延伸。所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接。

公开(公告)号：CN107644875A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710480033.4

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀振 ,  金善煐 ,  尹壮根

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种存储器装置，包括：堆叠在衬底的上表面上的栅电极层，每个栅电极层包括沿着第一方向延伸的多个单位电极；和将各单位电极彼此连接的多个连接电极。存储器装置还包括：沿着垂直于衬底的上表面的方向穿过栅电极层而延伸的沟道结构；沿着第一方向延伸并介于各单位电极之间的第一公共源极线；和在各第一公共源极线之间沿着第一方向延伸的第二公共源极线，每条第二公共源极线具有在第一方向上通过连接电极彼此隔离的第一线和第二线。

公开(公告)号：CN106601745A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610354031.6

申请日：2016-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贤淑 ,  尹壮根 ,  金善煐 ,  郑在皓

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11526

Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：单元区域，包括与基底的上表面垂直地延伸的通道区域和与通道区域相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层；以及外围电路区域，包括设置在单元区域附近的第一有源区域、面积大于第一有源区域的面积的第二有源区域、连接到第一有源区域的多个第一接触件以及连接到第二有源区域的多个第二接触件。所述多个第一接触件之间的距离小于所述多个第二接触件之间的距离。