公开(公告)号：CN110364562B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910125807.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。

公开(公告)号：CN110391286A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910007087.8

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍隔离绝缘部分，在第一区域和第二区域的每个中，并在第一方向上具有第一宽度；在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区，在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开，并在第一方向上以直线延伸；在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分，分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁，所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧；以及多个栅极结构，在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。

公开(公告)号：CN110364562A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910125807.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。

公开(公告)号：CN104103689B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201410143763.1

申请日：2014-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  权银景 ,  金一龙 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。