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公开(公告)号：CN114725282A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111137923.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L21/8242
Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。
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