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公开(公告)号：CN108206180A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711337430.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/823412 , H01L21/823456 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/0646 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/165 , H01L29/20 , H01L29/42392 , H01L29/7853 , H01L27/02 , H01L29/1033
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一区中的第一晶体管和第二区中的第二晶体管。第一晶体管包括：第一纳米线、第一栅电极、第一栅极电介质层、第一源极/漏极区和内绝缘间隔物。第一纳米线具有第一沟道区。第一栅电极围绕第一纳米线。第一栅极电介质层在第一纳米线与第一栅电极之间。第一源极/漏极区连接到第一纳米线的边缘。内绝缘间隔物在第一栅极电介质层与第一源极/漏极区之间。第二晶体管包括第二纳米线、第二栅电极、第二栅极电介质层和第二源极/漏极区。第二纳米线具有第二沟道区。第二栅电极围绕第二纳米线。第二栅极电介质层在第二纳米线与第二栅电极之间。第二源极/漏极区连接到第二纳米线的边缘。
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公开(公告)号：CN100367506C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410043024.1
申请日：2004-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11568 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0207 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元阵列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。
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公开(公告)号：CN1326245C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410001272.X
申请日：2004-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/7923 , Y10S438/954
Abstract: 本发明公开了一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。
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公开(公告)号：CN112310076B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010591338.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一下图案和第二下图案，位于所述衬底上并且在第一方向上排成一行；第一有源图案堆叠，设置在所述第一下图案上并且与所述第一下图案间隔开；第二有源图案堆叠，设置在所述第二下图案上并且与所述第二下图案间隔开；鳍形切割栅极结构，设置在所述第一下图案上，所述鳍形切割栅极结构的一部分与所述第一下图案交叠；第一栅极结构，围绕所述第一有源图案堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二栅极结构，围绕所述第二有源图案堆叠并且在所述第二方向上延伸；以及器件隔离层，位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且将所述第一下图案与所述第二下图案分开。
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公开(公告)号：CN109585559B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201811138537.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206180B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201711337430.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一区中的第一晶体管和第二区中的第二晶体管。第一晶体管包括：第一纳米线、第一栅电极、第一栅极电介质层、第一源极/漏极区和内绝缘间隔物。第一纳米线具有第一沟道区。第一栅电极围绕第一纳米线。第一栅极电介质层在第一纳米线与第一栅电极之间。第一源极/漏极区连接到第一纳米线的边缘。内绝缘间隔物在第一栅极电介质层与第一源极/漏极区之间。第二晶体管包括第二纳米线、第二栅电极、第二栅极电介质层和第二源极/漏极区。第二纳米线具有第二沟道区。第二栅电极围绕第二纳米线。第二栅极电介质层在第二纳米线与第二栅电极之间。第二源极/漏极区连接到第二纳米线的边缘。
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公开(公告)号：CN108807386B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710292148.0
申请日：2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的绝缘层；在绝缘层上的沟道区；在绝缘层上的栅结构，该栅结构交叉沟道区；在绝缘层上的源/漏区，该源/漏区彼此间隔开并且栅结构插置在其间，该沟道区使源/漏区彼此连接；以及接触插塞，分别连接到源/漏区。沟道区可以包括在绝缘层上竖直地彼此间隔开的多个半导体图案，绝缘层包括分别邻近源/漏区的第一凹陷区域，以及接触插塞包括分别提供到第一凹陷区域中的下部分。
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公开(公告)号：CN112151615A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010582091.X
申请日：2020-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的掩埋绝缘层；在掩埋绝缘层上的下半导体层，下半导体层包括第一材料；在下半导体层上的沟道图案，沟道图案与下半导体层间隔开并且包括与第一材料不同的第二材料；以及围绕沟道图案的至少一部分的栅电极。
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公开(公告)号：CN108962973B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201810496326.6
申请日：2018-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。
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公开(公告)号：CN109801913A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811374372.5
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、栅极结构和源极/漏极层。多个沟道分别设置在多个水平面处，并在衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开。栅极结构设置在衬底上，至少部分地围绕每个沟道的表面，并在基本上平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。源极/漏极层设置在栅极结构的在第二方向上的相反两侧的每个处并且连接到沟道的侧壁，该第二方向基本上平行于衬底的上表面并基本上垂直于第一方向。栅极结构在第二方向上的长度在从衬底的上表面起在垂直方向上的第一高度处沿着第一方向变化。
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