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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109727881B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810928321.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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公开(公告)号：CN113314431A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110061490.6
申请日：2021-01-18
Abstract: 提供了晶圆检查装置。该晶圆检查装置包括：多孔隙卡盘，其包括在整个多孔隙卡盘上形成的多个孔隙，以允许将用于固定晶圆的压力施加到该多孔隙卡盘；卡盘驱动装置；背面检查光学系统，其被构造为检查晶圆的背表面的一部分；以及位置识别光学系统，其中，多孔隙卡盘包括：多个孔，其均匀地形成在整个多孔隙卡盘上以部分地暴露晶圆的背表面；以及狭缝，其暴露晶圆的背表面并在与多孔隙卡盘的顶表面平行的一个方向上延伸。
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公开(公告)号：CN109765189A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810982065.9
申请日：2018-08-27
Abstract: 提供了检查样品中的多层结构而不破坏样品的多层结构检测装置和方法，多层结构检查装置配置为测量反射率和色散两者而不破坏样品，其中，反射率和色散是对于多层结构的重复模式的改变灵敏地改变的变量，通过测量其值，以高精确度来检查处理之前与处理之后样品的结构改变。
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公开(公告)号：CN109727881A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810928321.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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公开(公告)号：CN107782742A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710606610.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/95
CPC classification number: H01L22/12 , G06K9/00013 , G06K9/00624 , G06K9/2018 , G06K9/4604 , H01L21/77 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/26 , H01L22/34 , G01N21/9501
Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。
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