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公开(公告)号：CN118284038A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311772683.8
申请日：2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟珉 , 朴台镇 , 尹灿植 , 李基硕 , 李泓浚
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上；栅极结构；导电填充图案；以及位线结构，所述位线结构位于所述导电填充图案上。所述栅极结构延伸穿过所述有源图案的上部，并且具有比所述有源图案的上表面高的上表面。所述导电填充图案包括位于所述有源图案上的下部和位于其上的上部。所述下部接触所述栅极结构的上侧壁，并且所述上部的宽度大于所述下部的宽度。
