公开(公告)号：CN101106354B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610003310.4

申请日：2006-02-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  佐治亚科技研究公司

Inventor： 拉扎西·马可帕帝 ,  西勃汀·纳提克 ,  朴伦绪 ,  尹庠雄 ,  寓相炫 ,  姜贤一 ,  李彰浩 ,  卓依·拉斯基

IPC: H03B1/04

CPC classification number: H03B5/1231 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1256 ,  H03B2200/007

Abstract: 本发明公开了一种超宽频带信号发生器。该超宽频带信号发生器使用具有超宽频带(UWB)的频率范围的谐波信号来产生需要的频率的信号。该超宽频带信号发生器包括：可调有源感应器，用于产生具有在非线性操作范围彼此基本相同的功率强度的谐波信号，该可调有源感应器能对其值进行调谐；振荡器，用于通过将从可调有源感应器产生的谐波信号频率转变成高频带来放大所述谐波信号并将其输出；和滤波器，用于选择性地输出从振荡器输出的谐波信号之一。

公开(公告)号：CN1681200A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510071722.7

申请日：2005-03-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  佐治亚科技研究公司

Inventor： 拉赫尔·巴蒂亚 ,  寓相炫 ,  方志熏 ,  李成洙 ,  李彰浩 ,  乔伊·拉斯卡

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/56

CPC classification number: H03F2200/372

Abstract: 提供一种多频带低噪声放大器，包括第一晶体管、输入匹配电路、和第一电容器。第一晶体管包括：电连接到第一电源的集电极，接地的发射极，和连接到第一电感器的另一端的基极，该第一电感器具有一端作为低噪声放大器的输入端。输入匹配电路连接在第一晶体管的集电极和基极之间。第一电容器连接到第一晶体管的集电极。输入匹配电路包括变抗器。输入匹配电路包括连接到变抗器的第二电容器。输入匹配电路包括连接到变抗器的第一电阻器。在该多频带低噪声放大器中，具有可变电容值的变抗器设置在输入端，从而很容易通过少量的偏压控制实现频带转换并且使得可能由控制信号引起的噪声最小。

公开(公告)号：CN101114271A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710136795.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申莲姬 ,  孙汉求 ,  李英敏 ,  李东奕 ,  朴钟旭 ,  李镐哲 ,  金美调 ,  金中植 ,  李彰浩

IPC: G06F15/167 ,  G11C7/10

Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。

公开(公告)号：CN101106354A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200610003310.4

申请日：2006-02-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  佐治亚科技研究公司

Inventor： 拉扎西·马可帕帝 ,  西勃汀·纳提克 ,  朴伦绪 ,  尹庠雄 ,  寓相炫 ,  姜贤一 ,  李彰浩 ,  卓依·拉斯基

IPC: H03B1/04

CPC classification number: H03B5/1231 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1256 ,  H03B2200/007

Abstract: 本发明公开了一种超宽频带信号发生器。该超宽频带信号发生器使用具有超宽频带(UWB)的频率范围的谐波信号来产生需要的频率的信号。该超宽频带信号发生器包括：可调有源感应器，用于产生具有在非线性操作范围彼此基本相同的功率强度的谐波信号，该可调有源感应器能对其值进行调谐；振荡器，用于通过将从可调有源感应器产生的谐波信号频率转变成高频带来放大所述谐波信号并将其输出；和滤波器，用于选择性地输出从振荡器输出的谐波信号之一。