公开(公告)号：CN113555525A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110718978.1

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆勋 ,  南承勋 ,  朴辉烈 ,  梁好晶 ,  郑熙树 ,  许晋硕

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/64 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明涉及正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法。正极包括正极集流体层、和在正极集流体层表面上的正极活性材料层。所述正极活性材料层包括具有基于锂的氧化物的多个晶粒的烧结的多晶材料，和多个晶粒各自包括晶种模板和在晶种模板周围的基体晶体，其中所述晶种模板是单晶并且具有板形状。

公开(公告)号：CN112736281A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011169333.9

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任成镇 ,  郑熙树 ,  许晋硕 ,  金敬焕 ,  金木源 ,  朴辉烈

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058 ,  H01M10/42 ,  H01M4/131

Abstract: 本发明涉及固体电解质‑正极组件和其制造方法、二次电池和其制造方法、及二次电池的电解质层。固体电解质‑正极组件包括在第一方向上彼此间隔开的多个正极层、和电解质层，所述电解质层包括非晶固体电解质和包含多个结晶固体电解质颗粒的结晶固体电解质，其中所述非晶固体电解质在所述多个正极层的正极层的表面上并且所述结晶固体电解质在所述非晶固体电解质内。

公开(公告)号：CN115050918A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210222688.2

申请日：2022-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑熙树 ,  孙精国 ,  金敬焕 ,  朴晶远 ,  朴辉烈 ,  许晋硕

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/62 ,  H01M10/04

Abstract: 本公开提供电极结构、包括其的二次电池以及制造电极结构的方法。该电极结构包括活性材料结构，该活性材料结构包括：第一活性材料板，具有在第一活性材料板的厚度方向上延伸的多个第一穿透孔；以及第二活性材料板，在第一方向上堆叠在第一活性材料板的一侧上，其中电极结构被配置用于二次电池。

公开(公告)号：CN114665060A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111483217.9

申请日：2021-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬焕 ,  朴辉烈 ,  孙精国 ,  郑熙树

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/62 ,  H01M4/04 ,  H01M10/052

Abstract: 一种电极结构、包括该电极结构的正电极和电化学装置以及制备该电极结构的方法。该电极结构包括：集电器；和在集电器的表面上的电极活性材料层，其中电极活性材料层包括电极活性材料和穿透电极活性材料层的开口；和导电层，包括导电材料和在开口的内表面上的粘合剂，其中基于电极活性材料层的总重量，导电材料和粘合剂的含量为按重量计0.05％至3％。

公开(公告)号：CN106920918B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201610885623.0

申请日：2016-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆勋 ,  朴辉烈 ,  梁好晶 ,  郑熙树 ,  南承勋 ,  许晋硕

IPC: H01M4/13 ,  H01M50/474 ,  H01M50/477 ,  H01M50/483

Abstract: 三维(3D)电极结构包括：电极集电板；多个活性材料板，设置在电极集电板上并且从电极集电板突出；以及分隔壁，布置在电极集电板上并且在平面图中基本上垂直于多个活性材料板从而提供多个活性材料板的结构稳定性，其中3D电极结构可以是彼此间隔开并且电解质层位于其间的两个电极结构之一。

公开(公告)号：CN111200115A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911132352.1

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辉烈 ,  郑熙树 ,  金敬焕 ,  孙精国 ,  李俊亨 ,  任成镇 ,  许晋硕

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/136 ,  H01M4/04 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本公开提供了一种电极结构、制造该电极结构的方法和包括该电极结构的二次电池。该电极结构包括：基础层，包括第一活性材料；以及多个活性材料板，在基础层的第一表面上并且彼此间隔开，所述多个活性材料板包括第二活性材料。基础层的活性材料密度小于所述多个活性材料板中的活性材料板的活性材料密度。

公开(公告)号：CN110034335B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910018638.0

申请日：2019-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任成镇 ,  郑熙树 ,  金敬焕 ,  朴辉烈 ,  孙精国 ,  梁祐荣 ,  李在洺 ,  李俊亨 ,  许晋硕

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/136

Abstract: 一种电化学装置包括正电极集流体、设置在正电极集流体上的多个正电极、设置在所述多个正电极上的电解质层、设置在电解质层上的负电极以及设置在负电极上的负电极集流体，其中电解质层包括第一电解质层和第二电解质层，以及其中第二电解质层在第一电解质层与负电极之间。

公开(公告)号：CN109119677B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201810329978.0

申请日：2018-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辉烈 ,  郑熙树 ,  金敬焕 ,  李俊亨 ,  任成镇 ,  许晋硕

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 一种二次电池，包括第一电极结构、与第一电极结构间隔开的第二电极结构、以及设置在第一电极结构与第二电极结构之间的电解质层，其中第一电极结构包括集流体层和多个第一活性材料板，所述多个第一活性材料板电连接到集流体层、从集流体层突出并包括第一活性材料，其中所述多个第一活性材料板的每个板具有宽度和大于宽度的长度，并且所述多个第一活性材料板在宽度方向上和在长度方向上彼此间隔开，以及其中电解质层沿长度方向延伸到所述多个第一活性材料板之间的间隙中。

公开(公告)号：CN114520304A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111367470.8

申请日：2021-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬焕 ,  朴辉烈 ,  朴晶远 ,  孙精国 ,  李俊亨 ,  郑熙树

IPC: H01M4/13 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 本方面提供一种二次电池以及制造该二次电池的方法，该二次电池包括：负电极；正电极，包括在宽度方向上彼此间隔开的多个正电极板以及在多个正电极板之间的通道，其中多个正电极板中的正电极板具有平板形状；电解质材料，设置在多个正电极板之间的通道中；分隔膜，在负电极和正电极之间；以及第一金属层，设置在分隔膜的面对正电极的表面上。

公开(公告)号：CN105789631B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201610012296.8

申请日：2016-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆勋 ,  朴辉烈 ,  许晋硕 ,  梁好晶

IPC: H01M4/66

Abstract: 本发明提供一种二次电池及其制造方法。该二次电池包括：彼此面对的第一电极集流器层和第二电极集流器层；多个第一活性材料层，电接触第一电极集流器层并基本上垂直于第一电极集流器层；多个第二活性材料层，电接触第二电极集流器层并基本上垂直于第二电极集流器层；以及第一导体层，电接触第一电极集流器层并插入所述多个第一活性材料层中。