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公开(公告)号:CN101408880A
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200810107950.9
申请日:2008-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F17/30218 , G06F3/0608 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1044 , G06F2212/7207
Abstract: 如闪存之类的存储器中的文件管理,包括在存储器中存储包括第一类型文件元数据的第一节点、包括文件数据的第二节点和包括第二类型文件元数据的第三节点,所述第二类型文件元数据包括文件状态以及第一和第二节点的存储位置信息。第三节点可包括:包括第二节点的存储位置信息的节点;以及包括索引表的节点,所述索引表将第二节点的存储位置信息的存储位置交叉引用到第一节点的存储位置。可以提供方法和装置。
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公开(公告)号:CN112306905B
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202010547111.X
申请日:2020-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0871 , G06F12/02
Abstract: 公开了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;控制器,从主机装置接收写入命令和第一数据,在第一数据与turbo写入关联时优先将第一数据写入第一区域或第二区域中而不是写入第三区域中,并且在第一数据与正常写入关联时将第一数据写入第一区域、第二区域或第三区域中。控制器基于从主机装置接收到的策略在第一区域、第二区域和第三区域之间移动第二数据。
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公开(公告)号:CN112306393B
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202010697176.2
申请日:2020-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储装置。所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域和第二区域,第一区域包括被配置为存储n比特数据的存储器单元,第二区域包括被配置为存储m比特数据的存储器单元;以及存储器控制器,其中,n和m是自然数,并且n小于m。第一区域包括第一区和第二区,第二区域包括第三区。存储器控制器被配置为执行对第一区或第二区的turbo写入操作和对第三区的正常写入操作中的一个,并且被配置为执行对第一区或第二区的turbo读取操作和对第三区的正常读取操作中的一个。
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公开(公告)号:CN109753311A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811091297.1
申请日:2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/38
CPC classification number: G06F13/26 , G06F13/102
Abstract: 提供了一种半导体设备和半导体系统。半导体设备可以包括:命令优先级策略管理器电路,其针对指向设备的命令产生包括命令优先级服从策略的命令优先级策略信息。主机接口电路,其可以耦接到该命令优先级策略管理器电路,以从该命令优先级策略管理器电路接收命令优先级策略信息,其中该主机接口电路能够操作以经由电接口向设备发送该命令优先级策略信息。
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公开(公告)号:CN112306906A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010652447.2
申请日:2020-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0873 , G06F12/02
Abstract: 提供了一种存储设备、包括该存储设备的存储系统及其操作方法。所述存储系统包括:存储设备,所述存储设备包括用非易失性存储器实现的加速写入缓冲区和用户存储区域;以及主机,所述主机被配置为向所述存储设备传送读取请求。响应于所述读取请求,所述存储设备向所述主机传送读取数据和包括所述读取数据的属性的读取数据信息。
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公开(公告)号:CN112306905A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010547111.X
申请日:2020-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0871 , G06F12/02
Abstract: 公开了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;控制器,从主机装置接收写入命令和第一数据,在第一数据与turbo写入关联时优先将第一数据写入第一区域或第二区域中而不是写入第三区域中,并且在第一数据与正常写入关联时将第一数据写入第一区域、第二区域或第三区域中。控制器基于从主机装置接收到的策略在第一区域、第二区域和第三区域之间移动第二数据。
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公开(公告)号:CN112306393A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010697176.2
申请日:2020-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储装置。所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域和第二区域,第一区域包括被配置为存储n比特数据的存储器单元,第二区域包括被配置为存储m比特数据的存储器单元;以及存储器控制器,其中,n和m是自然数,并且n小于m。第一区域包括第一区和第二区,第二区域包括第三区。存储器控制器被配置为执行对第一区或第二区的turbo写入操作和对第三区的正常写入操作中的一个,并且被配置为执行对第一区或第二区的turbo读取操作和对第三区的正常读取操作中的一个。
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