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公开(公告)号:CN119150369A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202410181203.9
申请日:2024-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了片上系统及片上系统的操作方法。所述片上系统包括:非易失性存储器,被配置为加载从外部存储装置接收的第一映像和第一签名验证算法;至少一个处理器,被配置为控制非易失性存储器,使得对第一映像执行第一验证;易失性存储器;以及一次性可编程(OTP)存储器,被配置为对与第一签名验证算法不同的第二签名验证算法的哈希值进行编程。所述至少一个处理器还被配置为:将从外部存储装置接收的第二映像加载到易失性存储器,第二映像与第一映像不同;基于编程的哈希值对第二映像执行第二验证;基于第二验证成功,执行与关于第二签名算法的版本信息对应的第二签名验证算法;并且通过将第二签名验证算法应用于第一映像来执行第一验证。
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公开(公告)号:CN115904219A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202210827161.2
申请日:2022-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备在正常模式或低功率模式下操作,并且包括:第一非易失性存储器(NVM)、第二NVM和安全处理器,所述第二NVM被配置为存储在所述低功率模式下生成的第一安全数据,所述安全处理器被配置为在所述正常模式下访问所述第一NVM以将所述第一安全数据存储在所述第一NVM中。
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公开(公告)号:CN110020561A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201811258060.8
申请日:2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置和操作半导体装置的方法。所述半导体装置包括包含密钥编程区和多个密钥保护设置区的一次可编程(OTP)存储器。密钥被存储在密钥编程区,保护存储在密钥编程区的密钥的多个设置值被编程在所述多个密钥保护设置区中。所述半导体装置还包括密钥寄存器和密钥保护控制逻辑电路。密钥寄存器被配置为加载存储在OTP存储器中的密钥。当密钥被加载到密钥寄存器中时,密钥能够被安全软件访问。密钥保护控制逻辑电路被配置为基于编程在OTP存储器的密钥保护设置区中的所述多个设置值将存储在OTP存储器中的密钥加载到密钥寄存器中。
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